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技术参数：

纯  度（%）： ＞99.998

熔  点（oC）：1750

密  度（g/cm3）：2.2

折射率（550nm）：1.46

透光范围（nm）：200-9000

 

 

 

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SiO2溅射靶材： 纯度：二氧化硅99.95% ~ 99.9999%种类：颗粒、毛坯、基片、环形靶、方砖； 特点：纯度高、气密性度低、无杂质 特色：种类多、可制造大规格 用途：镀膜、半导体、光学、环保、新能源