金属氧化膜电阻 小型化2w，金属膜电阻器一般采用真空蒸发工艺制得，即在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。它的耐热性、噪声电势、温度系数、电压系数等电性能比碳膜电阻器优良。金属膜电阻器的制造工艺比较灵活，不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度，也可通过刻槽调整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范围较宽的电阻器。

種 類  Type		尺   寸  Dimensions
普通型 Normal Size	小型化 Small Size	I	L±1.0	ψD	ψd±0.05	H±2.0
MOF1/4W	MOF1/2WS	60	6.5	2.3±0.5	0.45	28
MOF1/2W	MOF1WS	60	9.0	3.2±0.5	0.50	28
MOF1W	MOF2WS	60	11.5	4.5±1.0	0.68	25
		73	11.5	4.5±1.0	0.68	31
MOF2W	MOF3WS	60	15.5	5.0±1.0	0.68	23
		81	15.5	5.0±1.0	0.68	33
		94	15.5	5.0±1.0	0.68	40
MOF3W	MOF5WS	94	17.5	6.0±1.0	0.68	38
MOF5W		94	24.5	8.0±1.0	0.68	35

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金属氧化膜电阻的发展趋势
1、小型化、高可靠性；
2、分立的小型金属膜电阻器仍有广泛的用处，但将进一步缩小体积,提高性能,降低价格；
3、在消费类电子产品中，碳膜电阻器仍占优势，而精密的电阻器则将以金属膜电阻器为主；
4、为适应电路集成化、平面化的发展，对片状电阻器的需要将明显增加；通用型将倾向于发展厚膜电阻器，而精密型则仍将倾向于薄膜类中的金属膜和金属箔电阻器；
5、发展组合的电阻网络。
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