PSMN018-80YS 场效应管 NXP原装优势渠道现货供应 宋小姐 Q2718365532
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规格书
制造商: | Fairchild Semiconductor | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
Id-连续漏极电流: | 15 A | |
Vds-漏源极击穿电压: | - 60 V | |
Rds On-漏源导通电阻: | 76 mOhms | |
晶体管极性: | P-Channel | |
Vgs-栅源极击穿电压 : | 20 V | |
最大工作温度: | + 175 C | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | DPAK-3 | |
封装: | Reel | |
商标: | Fairchild Semiconductor | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | Single | |
下降时间: | 12 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 8 S | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 42 W | |
上升时间: | 10 ns | |
系列: | FDD5614P | |
工厂包装数量: | 2500 | |
典型关闭延迟时间: | 19 ns | |
典型接通延迟时间: | 7 ns | |
零件号别名: | FDD5614P_NL | |
单位重量: | 260.370 mg |
常出料产品图片
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