系统概述
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
测试系统指标
1.测 试 电 压：
≤2KV
2.测 试 电 流：
≤50A
3.电 压分辨率：
1mV
4.电流 分辨率：
0.1nA
5.测 试 精 度：
0.2%±2LSB
1.3 测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power
MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET
）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）
