一、半导体制造行业

　　（一）行业基本情况

　　半导体产品可大致划分为类：分立器件、集成电路与光电组件，其中集成电路就占了半导体近九成的比重，可谓半导体产业的重心所在。2000年以来，中国集成电路产业处于高速成长期。预计2008年-2010年这3年间，中国集成电路产业整体销售收入的年均复合增长率将达到23.6%。到2010年，中国集成电路产业销售收入将达到约2500亿元。预计2010年-2015年，我国将以年均近20%速度向前发展，产业规模达到约6000亿元，届时中国将成为世界重要电路制造基地之一。2007年，我国半导体企业总数达700家左右，其中IC设计业500多家，IC制造业30多家，封装测试业100多家。IC制造业企业已相对集中，主要分布在上海、北京、江苏、浙江等省市，长江三角洲地区成为中国集成电路重镇。

　　半导体分立器件厂家我国现有约200家。2007年分立器件产品的产量为2487.21亿元，比2006年增长11.8%；销售额835.1亿元，比2006年增长15.9%。到2010年我国半导体分立器件产业销售额将达到1300亿元。

　　根据2007年污普数据，广州市现有半导体企业16家，集成电路制造企业17家。据了解，目前广州市半导体企业大都为中小型组装部件企业，因此，本通告未将其纳入重点监管范围。

　　（二）生产工艺

　　1.分立器件制造工艺

　　最常见的双极管（Bipolar）之一的NPN三级管主要生产工艺包括氧化、光刻、埋层、扩散、N型外延、隔离扩散、基区扩散、发射区扩散、A1金属化、CVD钝化层等步骤。

　　2.集成电路制造工艺

　　集成电路制造可大致分为各独立的单元，如晶片制造、氧化、参杂、显影、刻蚀、薄膜等。各单元中又可再分为不同的操作步骤，如清洗、光阻涂布、曝光、显影、离子植入、光阻去除、溅镀、化学气相沉积等。

　　3.封装工艺

　　晶片在制造工艺后进入封装工艺，封装指从晶片上切割单个芯片到最后包装的一系列步骤。在冲切中，用激光或金刚石锯将单个芯片（或模片）从晶片上分离。然后通过锡焊或使用环氧树脂将金属结构（如铅）裱到芯片上。用混合溶剂或萜烃进行清洗。下一步是引线接合（插脚），使芯片的金属化部分与封装或框架连接起来。在封装阶段，用塑料或环氧树脂做的密封包装。在一些应用中也使用陶瓷盖。

　　半导体封装生产工艺见下图：

　　（三）污染物排放

　　半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。挥发性有机废气主要来源于光刻、显影、刻蚀及扩散等工序，在这些工序中要用有机溶液（如异丙醇）对晶片表面进行清洗，其挥发产生的废气是有机废气的来源之一；同时，在光刻、刻蚀等过程中使用的光阻剂（光刻胶）中含有易挥发的有机溶剂，如醋酸丁酯等，在晶片处理过程中也要挥发到大气中，是有机废气产生的又一来源。

　　与半导体制造工艺相比，半导体封装工艺产生的有机废气较为简单，主要为晶粒粘贴、封胶后烘烤过程产生的烘烤废气。

　　（四）控制要求

　　半导体制造工艺中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分。在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。目前，有机废气排放处理措施采用大风量低浓度，其处理一般采用吸附浓缩技术、等离子光解技术、或UV光解技术等等。

　　二、半导体制造行业废气处理工艺：

　　半导体制造行业废气预处理设备（根据具体项目及废气源实际工况，可能涉及到粉尘去除、水气分离、高温降温处理、油膏油脂去除、酸碱水雾去除等相应的预处理措施）等离子UV光解除臭废气净化器高排

　　三、等离子UV光解除臭废气净化器工作原理：

　　1、主要采用脉冲高频高压等离子体电源和双介质齿板放电装置，尖端放电形式产生高浓度离子。等离子体是一种聚集态物质，其所拥有的高能电子能在毫秒级的时间内，瞬间击穿空气和废气分子，发生一系列分化裂解反应，产生高浓度、高强度、高能量的活性自由基和各种电子、离子等，在与机废气中的分子碰撞时会发生一系列基元物化反应，并在反应过程中产生多种活性自由基和生态氧，即臭氧分解而产生的原子氧。活性自由基可以有效地破坏各种病毒、细菌中的核酸，蛋白质，使其不能进行正常的代谢和生物合成，从而致其死亡；而生态氧能迅速将有机废气分子异味气体分解或还原为低分子无害物质；另外，借助等离子体中的离子与物体的聚合吸附作用，可以对小至亚微米级的细微有机废气颗粒物进行有效的吸附沉降处理。

　　2、利用特制的高能UV紫外线光束照射恶臭气体，裂解恶臭气体的分子键，降解转变为低分子化学物，如二氧化碳和水等物质。

　　3、利用高能臭氧分解空气中的氧分子产生游离氧，即活性氧，因游离氧所携正负电子不平衡所以需与氧分子结合，进而产生臭氧，使呈游离状态的污染物分子与臭氧氧化结合成小分子无害或低害的化合物。如CO2、H2O等。UV+O2O-+O*(活性氧)O+O2O3(臭氧)。

　　4、利用特制的TiO2二氧化钛光触媒催化氧化泡沫镍过滤板，在UV紫外光的照射下，产生光触催化反应，极大地提升和加强了紫外光波的能量聚变，在更加高能高效地裂解废气和恶臭气味分子的同时，催化产生更多的活性氧和臭氧，对废气和恶臭气味进行更彻底地催化氧化分解反应，使其降解转化成低分子化合物、水分子和二氧化碳，从而达到脱臭及杀灭细菌的目的；泡沫镍既有金属镍耐高温、抗腐蚀、化学性质稳定的特征，又具有泡沫独特的三维网状结构，以它为基体，附载纳米二氧化钛开发而成的复合光催化抗菌泡沫金属滤网继承了泡沫镍的所有优点，超过95%的孔隙率保证了良好的空气通透性，而在其包面分布均匀的光触媒材料比表面积大，表面覆盖率高，最大限度增大了与空气和紫外线的接触面，加之泡沫金属的三维特性，使得光催化反应腔饱满，保证了其光催化效率.

　　5、高效除恶臭：能高效去除挥发性有机物（VOC）及各种恶臭味，脱臭效率最高可达99%以上。

　　6、无需添加任何物质：只需要设置相应的排风管道和排风动力。

　　7、适应性强：可适应中低浓度，大气量，可每天24小时连续工作，运行稳定可靠。