方法的优缺点比较
　　各种方法都有其有缺点：从大的方面讲，直接PECVD法对样品表面有损伤，会增加表面少子的复合，但是也正是由于其对表面的轰击作用，可以去除表面的一些自然氧化层，使得表面的杂质原子得到抑制，另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。
　　使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：
　　（1）频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性。
　　（2）频率越低对硅片表面的损伤越严重。
　　（3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。