PCBA加工生产
深圳市弘盛电路有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
品牌推荐
加工种类
pcb线路板
加工方式
代料代工加工
加工设备
pcb线路板
加工设备数量
8888888
生产线数量
8888888
日加工能力
8888888888
质量认证标准
佰分之%
无铅制造工艺
提供
550mm
420mm
1 检查捕捉点设置是不是.08技能为0.1,06技能为0.05,05技能为0.025.
2 Cell称谓不能以数字开始.否则无法做DRACULA检查.
3 方案前思考好出PIN的方向和方位
4 方案前分析电路，结束同一功能的MOS管画在一起
5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一起，不要有横有竖。
方案时留心:
6 更改原理图后一定记住check and save
7 结束每个cell后要归原点
8 DEVICE的个数是不是和原理图一至；各DEVICE的标准是不是和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对方案有大约的方案，先画DEVICE，再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。
9 假设一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb假设没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过pa检查.最好在方案低层cell时就连起来。
10 尽量用最上层金属接出PIN。
11 接出去的线拉到cell边沿,方案时记住留出走线空间.
12 金属连线不宜过长；
13 电容一般终究画，在空档处聚集。
14 小标准的mos管孔可以少打一点.
15 LABEL标识元件时不要用y0层，GDS文件不认。
16 管子的沟道上不要走线
17 电容上下级板的电压留心要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
18 多晶硅不能两头都打孔联接金属。
19 一般打孔最少打两个
20 薄氧化层是不是有对应的植入层
21 金属联接孔可以嵌在diffusion的孔基地.
22 两段金属联接处堆叠的本地留心金属线最小宽度
23 连线接头处一定要堆叠，画的时分将该区域扩大可防止此差错。
24 摆放各个小CELL时留心不要挤得太近，没有留出走线空间。终究线只能从DEVICE上跨以前。
25 Text2,y0层只是用来做检查或象征用,不用于光刻制造.
26 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分隔接。
27 Pad的pass窗口的标准画成整数.
28 联接Esd电路板厂的线不能断，假设改动走向不要换金属层
29 关于匹配电路板厂，扩大电路不需要和下面的电流源匹配。啥是匹配？使需要匹配的管子地点的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和基地匹配。
1221为纵向匹配，12为基地匹配（把上方1转到下方1时，上方2也抵达下方2方位）
21
基地匹配最好。
30 标准非常小的匹配管子对匹配画法要求不严峻.4个以上的匹配管子,部分和整体都匹配的匹配方法最好.
31 关于powermos
① powermos一般接pin，要用满足宽的金属线接，最好把悉数powermos掩盖
② 几种减小面积的画法。
32 金属层dummy要和金属走向一起，即假设M2横走，M2的dummy也是横走向
33 低层cell的pin,label等要规整.不要删掉以备后用.
犯错检查:
34 DEVICE的各端是不是都有连线；连线是不是；
35 结束方案检查时要检查每个接线的本地是不是都有连线，格外留心VSSX，VDDX
36 查线时用SHOTS将线高亮闪现，便于找出可以吞并或是缩短间隔的金属线。
37 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时地点的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间隔的一半。
38 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起
39 并联的管子留心漏源吞并，不要连错线。一个管子的源端是另一个管子的漏端
40 做DRAC检查时最上层的pin的称谓用text2标识。Text2的称谓要和该pin的称谓一样.
41 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.
42 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移到最边沿的电阻，不要掩盖dummy
节省面积的途径
43 电源线下面可以画有器材.节省面积.
44 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。
45 电阻的长度画越长越省面积。
46 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度.
47 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删去。减小面积时假设低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线下手，减小走线面积。
48 版图中面积被device，device的间隔和走线空间切割。减小面积一般从走线空间下手，更改FLOORPLAN 专业PCB板、电子、单片机
2 Cell称谓不能以数字开始.否则无法做DRACULA检查.
3 方案前思考好出PIN的方向和方位
4 方案前分析电路，结束同一功能的MOS管画在一起
5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一起，不要有横有竖。
方案时留心:
6 更改原理图后一定记住check and save
7 结束每个cell后要归原点
8 DEVICE的个数是不是和原理图一至；各DEVICE的标准是不是和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对方案有大约的方案，先画DEVICE，再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。
9 假设一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb假设没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过pa检查.最好在方案低层cell时就连起来。
10 尽量用最上层金属接出PIN。
11 接出去的线拉到cell边沿,方案时记住留出走线空间.
12 金属连线不宜过长；
13 电容一般终究画，在空档处聚集。
14 小标准的mos管孔可以少打一点.
15 LABEL标识元件时不要用y0层，GDS文件不认。
16 管子的沟道上不要走线
17 电容上下级板的电压留心要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
18 多晶硅不能两头都打孔联接金属。
19 一般打孔最少打两个
20 薄氧化层是不是有对应的植入层
21 金属联接孔可以嵌在diffusion的孔基地.
22 两段金属联接处堆叠的本地留心金属线最小宽度
23 连线接头处一定要堆叠，画的时分将该区域扩大可防止此差错。
24 摆放各个小CELL时留心不要挤得太近，没有留出走线空间。终究线只能从DEVICE上跨以前。
25 Text2,y0层只是用来做检查或象征用,不用于光刻制造.
26 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分隔接。
27 Pad的pass窗口的标准画成整数.
28 联接Esd电路板厂的线不能断，假设改动走向不要换金属层
29 关于匹配电路板厂，扩大电路不需要和下面的电流源匹配。啥是匹配？使需要匹配的管子地点的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和基地匹配。
1221为纵向匹配，12为基地匹配（把上方1转到下方1时，上方2也抵达下方2方位）
21
基地匹配最好。
30 标准非常小的匹配管子对匹配画法要求不严峻.4个以上的匹配管子,部分和整体都匹配的匹配方法最好.
31 关于powermos
① powermos一般接pin，要用满足宽的金属线接，最好把悉数powermos掩盖
② 几种减小面积的画法。
32 金属层dummy要和金属走向一起，即假设M2横走，M2的dummy也是横走向
33 低层cell的pin,label等要规整.不要删掉以备后用.
犯错检查:
34 DEVICE的各端是不是都有连线；连线是不是；
35 结束方案检查时要检查每个接线的本地是不是都有连线，格外留心VSSX，VDDX
36 查线时用SHOTS将线高亮闪现，便于找出可以吞并或是缩短间隔的金属线。
37 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时地点的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间隔的一半。
38 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起
39 并联的管子留心漏源吞并，不要连错线。一个管子的源端是另一个管子的漏端
40 做DRAC检查时最上层的pin的称谓用text2标识。Text2的称谓要和该pin的称谓一样.
41 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.
42 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移到最边沿的电阻，不要掩盖dummy
节省面积的途径
43 电源线下面可以画有器材.节省面积.
44 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。
45 电阻的长度画越长越省面积。
46 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度.
47 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删去。减小面积时假设低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线下手，减小走线面积。
48 版图中面积被device，device的间隔和走线空间切割。减小面积一般从走线空间下手，更改FLOORPLAN 专业PCB板、电子、单片机
