Transphorm氮化镓TPH3202PD/S晶体管适用于电机控制、太阳能、电源模块、逆变器等

采用高压600V、电流9A，低阻抗,配有碳化硅MOS封装TO-220/TO247与PQFN88封装。

Transphorm提供完善的演示版与应用支持；

主要型号有：

TPH3002LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT,常断, 漏极标签
TPH3002LS PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3002PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3002PS TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3006LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3006LS PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3006PD TO-220 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3006PS TO-220 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3202LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3202LS PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3202PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3202PS TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3205WS TO-247 600 34 0.063 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3206LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3206LS PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3206PD TO-220 600 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3208PS TO-220 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3208PD PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3208LS PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3208LDG PQFN88 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPH3212PS TO-220 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPH3207WS TO-247 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签

TPD3215M TO-220 650 17 0.34 GaN HEMT, 常断, 源极标签

TPT3044M

TPT3016M

功率转换是通过对电路进行快速开关来完成的，可以实现从一个到另外一个的电子转换。Transphorm的效率突破是源于一种被称为氮化镓或“GaN”的材料，它可以在比传统元件更高的频率下进行开关。这种超级材料，搭配创新型的的电路设计，实现了世界上最高效，最紧凑和最高性价比的功率转换技术。

Transphorm技术为能效领域的革命铺平了道路。Transphorm是面向目前低效能电子系统的专用型功率器件与模块，它代表了有史以来的首款GaN完整解决方案，几乎可以轻松的嵌入到任何的电子系统之中，并得到30多个专利的保护。