QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。
最大集电极电流可达50A，基本满足500W以下的半导体管的测试。
具备高压测试能力，可对3KV(5KV)\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流最高灵敏度可达到0.5uA/度。
基极阶梯信号具有脉冲阶梯输出，可测量二次击穿特性。
特点：大功率器件测试, IGBT模块测试 MOS管测试
专业销售/收购/维修、租赁二手仪器设备
手机：13005433157/13798360277李汉明，13713875417曾小姐,QQ308966 
集电极扫描信号 (输出电压范围/电流容量)
三极管和二极管
 0～10V / 50A (脉冲阶梯) 20A(平均值)
 0～50V / 10A (平均值)
 0～100V / 5A (平均值)
 0～500V / 0.5A (平均值)
二极管高压测试
 0～5KV(3KV) / 5mA (最大)
基极阶梯信号
阶梯电流:1uA～200mA/级，分17档
阶梯电压:0.05～1V/级，分5档
阶梯波形:正常(100%)，脉冲(10～40%)
Y轴偏转系数
集电极电流:1uA～5A/度，分21档
二极管电流:1～500uA/p，分9档
集电极及二极管电流倍率:×0.5
X轴偏转系数
集电极电压:10mV～50V/度，分12档
二极管电流:100～500V/度，分3档
基电极电压:10mV～1V/度，分7档
一般性能
有效显示面10×10p(1p=0.8cm)
视在功率 约80VA
约300VA(最大功率)
外形尺寸 30×40×52cm
重量 30kg
反向击穿电压测试
VCBO 集电极 - 基极 (发射极开路)
VEBO 发射极 - 基极 (集电极开路)
VCEO 集电极 - 发射极 (基极开路)
VCER 集电极 - 发射极 (基极与发射极间电阻连接)
VCES 集电极 - 发射极 (基极与发射极短路)
各种特性曲线
VCE - IC 共发射极 (基极信号为变量)
IB - IC 共发射极
VBE - IB 共发射极
VBE - IO 共发射极