【EVERSPIN一级代理MR0A08BCYS35 flash芯片】价格_厂家

品牌

everspin

型号

MR0A08BCYS35

批号

16

封装形式

PGA

类型

数字集成电路

用途

军工

功能

存储器

导电类型

双极型

封装外形

金属壳圆形型

集成度

中规模50~100

工作电源电压

250V

最大功率

1W

工作温度

84℃

外形尺寸

12mm

加工定制

否

存储器芯片

nor flash

随机静态sram

串口sram

低功耗SRAM

mram芯片

SDRAM

low power sram

存储器ic

容量存储器

EVERSPIN一级代理MR0A08BCYS35的专利MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MR0A08BCYS35不需改变内存状态，便能快速读取数据。