高温四探针方阻测量系统可以测量半导体材料的方块电阻测量。佰力博采用直排四探针测量原理，双电测组合法自主研发的HRMS-800高温四探针方阻测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，可以测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。

高温四探针方阻测量系统技术规格：

测量条件：高温、真空、气氛；

测量温度：室温---600℃；

控温精度：±1℃ ，显示精度：±0.1℃；

升温斜率：1-5°C/min；

测量精度：0.05%；

电阻率：10-5 ～105 Ω.cm ;

电导率：10-5 ～105 s/cm

方块电阻：10-4 ～106 Ω/□；

电阻：10-5 ～105 Ω；

物理性能：

供电：220V±10%，50Hz；

功率：1100VA最大，电流5A；

工作环境：0℃-55℃，存储条件：-40℃-70℃；

设备尺寸：666mmx658mmx425mm；

重量：30kg；

预热时间：30min；

保修：1年

高温四探针方阻测量系统功能特点：

1、测量功能丰富，可以测量电阻、电阻率、方块电阻、电导率，可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；

2、采用一体化集成设计，开机启动触摸屏控制和显示，操作简单直观，使用方便；

3、手动升降平台控制夹具升降，将样品和夹具一起热沉到高温炉中，并保证样品和测量传感器尽可能接近，确保测量温度和样品温度的一致性；

4、高温四探针方阻测量系统与美国Keithley2400源表配合使用，无需手动操作keithley2400源表，全自动测试，探针自检，确保仪器稳定可靠；

5、四探针测量软件可以实现常温、变温、恒温条件下薄层方块电阻和薄片电阻率的测量，同时保证夹具良好接触，增加探针自检功能和薄膜均匀性测试功能。