佰力博高温电阻率测量系统系列高温半导体材料四探针测量系统采用直排四探针测量原理，双电测组合法自主研发，主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，可以测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。

功能特点：

1、测量高温、真空气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；测量半导体薄膜和薄片的导电性能；测量硅、锗单晶电阻率；测量硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻；测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。

2、主机、软件、高温炉等集成一体，可视化操作；

3、可以实现纯净气氛下的测量；保证探针在高温下不氧化；

4、真空条件下可精准调节探针距离；要求采用碳化钨探针，最高耐温600℃；

5、自动调节测试电压，探针和薄膜接触无火花现象；

6、控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都是样品实际温度；

7、可配套使用Keithley2400或2600数字多用表。

技术规格：

测量温度：室温---600℃;

控温精度：±1℃ ，显示精度：±0.1℃；

升温斜率：1-5°C/min；

测量精度：0.05%；

电阻率：10-5 ～105 Ω.cm ;

电导率：10-5 ～105 s/cm

方块电阻：10-4 ～106 Ω/□；

电阻：10-5 ～105 Ω；

探针间距：2±0.01mm；

探针压力：0~2kg可调；

针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石；

针间绝缘电阻：≥1000MΩ；

真空度：10Pa（标配），高真空另选；

可测半导体材料尺寸：薄膜直径15-30mm，厚度小于4mm；