【Renasas 容量SRAM存储器 R1QEA3636CBB】价格_厂家

Renasas 容量SRAM存储器 R1QEA3636CBB

不限

￥1

中国深圳

产品属性

图文详情

品牌推荐

品牌

Renasas

型号

R1QEA3636CBB

批号

封装形式

PGA

类型

数字集成电路

用途

军工

功能

存储器

导电类型

双极型

封装外形

金属壳圆形型

集成度

中规模50~100

工作电源电压

250V

最大功率

工作温度

84℃

外形尺寸

12mm

加工定制

否

存储器芯片

nor flash

随机静态sram

串口sram

低功耗SRAM

sram芯片

SDRAM

low power sram

存储器ic

容量存储器

Renasas 容量SRAM存储器 R1QEA3636CBB

记忆存储器有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

RAM (Random Access Memory随机存贮器）是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储单元地址无关的可以读写的存储器。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中，都是采用RAM作为主存。

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