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工序一，硅片清洗制绒
目的——表面处理：
清除表面油污和金属杂质；
去除硅片表面的切割损坏层；
在硅片表面制作绒面，形成减反射织构，降低表面反射率；
利用Si在稀NaOH溶液中的各向异性腐蚀，在硅片表面形成3-6 微米的金字塔结构，这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射，增加了对光的吸收；
工序二，扩散
硅片的单/双面液态源磷扩散，制作N型发射极区，以形成光电转换的基本结构：PN结。
POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉管，在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换，并扩散进入硅片表面，激活形成N型掺杂，与P型衬底形成PN结。主要的化学反应式如下：
POCl3 + O2 → P2O5 + Cl2 P2O5 + Si → SiO2 + P
工序三，等离子刻边
去除扩散后硅片周边形成的短路环；
工序四，去除磷硅玻璃
去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃（磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层）。
工序五，PECVD
目的——减反射+钝化：
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设备，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；
制作减少硅片表面反射的SiN 薄膜（～80nm）；
SiN 薄膜中含有大量的氢离子，氢离子注入到硅片中，达到表面钝化和体钝化的目的，有效降低了载流子的复合，提高了电池的短路电流和开路电压。
工艺原理：
硅烷与氨气反应生成SiN 淀积在硅片表面形成减反射膜。
利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。
反应过程中有大量的氢离子注入到硅片中，使硅片中悬挂键饱和、缺陷失去活性，达到表面钝化和体钝化的目的。








































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