GIS局部放电检测仪采用特高频（UHF频段0.3～3.0GHZ）检测原理，能  够在GIS运行条件下，或在GIS工频耐压试验条件下，对其进行局部放电检测和定位，及 时发现绝缘缺陷，避免绝缘故障。

手持式仪器，采用电池供电，便于定期巡视检查。可外接两路传感器测量信号时差，可定位局部放电位置。    GIS局部放电主要由下列缺陷引发：   ?  载流导体表面缺陷：如毛刺，尖角，等引起导体表面电场强度不均匀，这种缺陷通常是在制造或安装时造成的，在稳定的工频电压下不易引起击穿，但在操作或冲击电压下很可能引起击穿。 ?  绝缘子表面缺陷： 如制造质量不良，绝缘子有气泡或裂纹，安装遗留下的污迹，尘埃等。   ? GIS筒内在制造和安装过程中存在的自由导电微粒。  ? 导体部分接触不良

摘要：为规范超声波局部放电检测仪的技术要求，统一技术标准，促进超声波局部放电检测技术的应用，提高电网的运行可靠性，研究超声波局部放电检测仪的校验技术十分必要。文章介绍了超声波局部放电检测仪的技术原理和要求，提出了超声波局部放电检测仪的校验方法，建立了相应的校验系统，探讨了超声波局部放电检测仪的现场校验方法。所述的校验方法具有稳定性高，重复性好的特点，弥补了超声波局部放电检测仪缺乏校验方法和手段的问题，有一定的参考价值。

所谓电场强度是指绝缘结构单位距离上所承受的电压。而击穿场强是指绝缘结构所承受的最‘’大电场强度。  绝缘材料在一定电场强度范围内电压和电流的关系符合欧姆定律，但当电场强度超过一极限值时，通过介质的电流与施加与介质的电压关系就不符合欧姆定律，而突然猛增，如图5所示，这时绝缘材料被破坏而失去了绝缘性能，这种现象称为介质的击穿。发生击穿时的电压称为击穿电压。对于绝缘材料通常是以平均击穿场强EB来表徵绝缘强度 。