ITO靶材通过磁控溅射制备ITO薄膜，广泛应用于太阳能、LCD、TP等领域

烧结法是世界上主流的

ITO靶材生产方式，

CUPM是国内率先采用烧

结法生产ITO靶材的公司

主要性能及参数

成份: In2O3:SnO2=90/10(wt%) 其他比例以客户要求为准

相对密度: ≥99.5%（理论密度7.15g/cm3)

纯度: 99.99%

尺寸规格:依据客户要求为准