150度25LC系列存储器
我司供应如下高温产品:
150度175度高温晶振,150度高温单片机,150度175度200度以上高温电容,155度175度200度以上高温电阻,165度200度高温电感,150度175度高温存储器,150度175度200度高温AD,150度175度210度高温运放,200度压力传感器,23芯高温连接器,各种集成电路等。
移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM):存储组件运行和待机电流非常低而容量却很大,。移动同步动态存储器 (Mobile SDRAM) 可与传统的同步动态存储器 (SDRAM) 兼容,非常适用于 移动通讯设备。工作电压:3.3伏,2.5伏甚至低至与移动双倍数据速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步动态存储器使用较为节省空间的球形网格阵列 (BGA) 进行封装,接触区域 在其下面。
150度高温存储器25LC256
北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器,此款存储器存储容量256kb,温度可到175度,很多客户采用串联方式使用,适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域,感兴趣的客户,欢迎来电咨询!
数据存储器:与程序存储器类似,数据存储器可以位于微控制器内部,或者是外部器件,但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器,但有时不包含内部EEPROM,在这种情况下,当需要存储大量数据时,设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然,也可以使用并行EEPROM或闪存,但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时,通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器,但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求,串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线,而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口,FRAM在一些系统中得到应用。
150度存储器FLASH
我司供应如下高温产品:
150度175度高温晶振,150度高温单片机,150度175度200度以上高温电容,155度175度200度以上高温电阻,165度200度高温电感,150度175度高温存储器,150度175度200度高温AD,150度175度210度高温运放,200度压力传感器,23芯高温连接器,各种集成电路等。
内储存器(内存):
内储存器直接与CPU相连接,储存容量较小,但速度快,用来存放当前运行程序的指令和数据,并直接与CPU交换信息。内储存器由许多储存单元组成,每个单元能存放一个二进制数或一条由二进制编码表示的指令。内储存器是由随机储存器和只读储存器构成的.