解说高压陶瓷电容介质击穿强度

高压陶瓷电容的介质强度表示的是介质材料承受高强度电场作用而不被电ji穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil)或伏特/厘米（V/cm)表示。

当外电场强度达到 某一临界值时，材料晶体点阵中的电 子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足够多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应。进而导致突发击穿电流击穿介质，使高压陶瓷电容失效。

陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！

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