性能参数

PD-M-TBPIN-SW

探测器类型

Si PIN

波长响应范围

400 - 1100 nm

响应度@850 nm

0.5 A/W

光敏面直径

500 μm

耦合方式

FC法兰盘

共模抑制比

>25 dB

RF OUTPUT1

带宽(-3 dB)

150 MHz

50 MHz

5 MHz

0.3 MHz

0.1 MHz

转换增益(V/A)

0.3×103

0.3×104

0.3×105

0.3×106

0.3×107

饱和光功率(dBm)

7

-3

-13

-23

-33

线性范围(dB)

22

22

22

22

22

均方根噪声(mV)

0.6

1.2

1.2

1.2

2.7

噪声等效功率

180 pw/√Hz

44 pw/√Hz

6.4 pw/√Hz

8.2 pw/√Hz

3.2 pw/√Hz

输出电压范围(V)

±3

±4.5

MR OUTPUT2

转换增益(V/A)

1×104

饱和光功率(dBm)

0

线性范围(dB)

30

均方根噪声(mV)

0.6

输出电压范围(V)

±10