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TOSHIBA 东芝场效应管 40QR21
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深圳市晟鑫微科技有限公司
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品牌
Toshiba/东芝
型号
40QR21
类型
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管
沟道类型
N型沟道
导电方式
增强型
适合频率
中频
封装外形
P-DIT/塑料双列直插
材质
N-FET硅N沟道
工作电压
1200V
工作电流
40A
“TOSHIBA东芝40QR21”详细介绍
连续集电极电流
40 A
集电极-发射极电压
1200 V
栅极发射极电压
±25V
功率耗散
230 W
封装类型
TO-3P
安装类型
通孔
通道类型
N
引脚数目
3
开关速度
0.4µs
晶体管配置
单
长度
15.5mm
宽度
4.5mm
高度
20mm
尺寸
15.5 x 4.5 x 20mm
最高工作温度
175 °C
栅极电容
1500pF
额定能量
0.29mJ
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