深圳市十德盛科技有限公司
长期稳定提供大量全新原装三星/镁光/海力士/华邦/东芝/英特尔等MEMORY芯片
其中包括 NAND FLASH (SLC 和MLC)和DRAM(S.D DDR1 DDR2 DDR3 DDR4)系列
配单各类 核心板，开发板，工控板等等
产品种类Mosfet
| 晶体管极性 | N-channel |
| 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Smd/smt |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 正向跨导 - 最小值 | 8 S |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 系列 | FDC6305N |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 零件号别名 | FDC6305N_NL |
| 单位重量 | 36 mg |
| 电流, Id 连续 | 2.7A |
| 漏源电压, Vds | 20V |
| 在电阻RDS（上） | 80mohm |
| 电压 @ Rds测量 | 4.5V |
| 阈值电压 Vgs | 900mV |
| 功耗 Pd | 960mW |
| 针脚数 | 6 |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| SVHC(高度关注物质) | No SVHC (16-Jun-2014) |
| SMD标号 | FCD6305N |
| 工作温度最小值 | -55°C |
| 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |
| 晶体管数 | 2 |
| 极性, 单向/双向 | NN |
| 模块配置 | 双 |
| 漏极电流, Id 最大值 | 2.7A |
| 漏源电压 Vds, N沟道 | 20V |
| 电压 Vgs @ Rds on 测量 | 4.5V |
| 电压, Vds | 20V |
| 电压, Vds 典型值 | 20V |
| 电压, Vgs 最高 | 900mV |
| 电流, Idm 脉冲 | 1A |
| 连续漏极电流 Id, N沟道 | 2.7A |
| 通态电阻 Rds(on), N沟道 | 0.06ohm |
| 阈值电压, Vgs th 最高 | 1.5V |
| 典型关断延迟时间 | 11ns |
| 典型接通延迟时间 | 5ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.5nCV@4.5 |
| 典型输入电容值@Vds | 310pFV@10 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 宽度 | 1.7mm |
| 封装类型 | Supersot |
| 尺寸 | 3x1.7x1mm |
| 引脚数目 | 6 |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 最大功率耗散 | 0.96W |
| 最大栅源电压 | ±8V |
| 最大漏源电压 | 20V |
| 最大漏源电阻值 | 0.128Ω |
| 最大连续漏极电流 | 2.7A |
| 最高工作温度 | +150°C |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 类别 | 功率MOSFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N |
| 长度 | 3mm |
| 高度 | 1mm |
