深圳市十德盛科技有限公司
长期稳定提供大量全新原装三星/镁光/海力士/华邦/东芝/英特尔等MEMORY芯片
其中包括 NAND FLASH (SLC 和MLC)和DRAM(S.D DDR1 DDR2 DDR3 DDR4)系列
配单各类 核心板，开发板，工控板等等
产品相片SOT223-3L
| Pcndesign/specification | WireBond01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT)-单路 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV@600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120@1A，2V |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 产品目录页面 | 1562(CN2011-ZHPDF) |
| 其它名称 | NSS60600MZ4T1GOSDKR |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—基极电压 VCBO | 100 V |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Smd/smt |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 150 |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 集电极发射电压, Vceo | -60V |
| 过渡频率, ft | 100MHz |
| 功耗 Pd | 2W |
| 集电极直流电流 | -6A |
| 直流电流增益, hFE | 70 |
| 针脚数 | 4 |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| SVHC(高度关注物质) | No SVHC (16-Jun-2014) |
| 工作温度最小值 | -55°C |
