CMOS器件电性表征的全面解决方案B1500A半导体器件分析
深圳佳捷伦电子仪器有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌
Keysight是德
型号
B1500A
类型
半导体图示仪
测试电压范围
3000V
测试电流范围
1500A
扫频范围
350MHz
功率
400W
电源电压
2220
工作电流
350
集电极电压
20
基极电压
222
适用范围
5650
加工定制
否
外形尺寸
1000mm
重量
28kg
尺寸
15寸
B1500ACMOS器件电性表征的全面解决方案B1500A半导体器件分析
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深圳佳捷伦电子仪器有限公司
负责人：雷S/欧阳R
手机：138-2659-6538/135-1050-0080
QQ:2355633972/3232796944
邮箱：2355633972@qq.com
网站：www.cgilent.com
全国免费热线800-900-9128
全国免长途通话费400-996-9128
地址：深圳市龙岗区平湖街道平新北路163号广弘星座B栋12楼
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详细资料可加WeChat:Cgilent2018（雷依婷）
B1500ACMOS器件电性表征的全面解决方案B1500A半导体器件分析
引言
互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)场效应管(FET)技术仍然是大规模集成电路，
如微处理器和存储器器件的基础。CMOS技术现在已渗入人们的日常生活，如移动
电话，高清电视和电脑。
改进CMOS器件性能的主要挑战来自两个相悖的目标:高速和低耗。为同时实现这
两个目标，研究人员需要全面表征MOSFET器件参数。不仅要表征静态特性，而
且还要表征器件的动态特性和与时间相关的特性。
近20年来，Keysight4155和4156半导体参数分析仪始终是工业界的标准仪器。
KeysightB1500A半导体器件分析仪更是具有精确表征先进CMOS器件所需测量能
力的新一代半导体参数分析仪。
EasyEXPERT是包括准备就绪的测量库的B1500A标配控制软件。这些测量库覆盖
评估基本CMOS器件和先进CMOS器件的各种参数，包括可靠性测试。
这篇应用指南全面介绍B1500A的主要性能特性，展示B1500A作为CMOS器件电
性表征的全面解决方案。
先进的综合测量能力
B1500A10个模块插槽，众多可选的源/监
视单元(SMU)和其它先进的模块类型，可
通过配置满足对先CMOS制程的最精确测
量要求。图1列出所有适用于B1500A的
模块。
中功率SMU(MPSMU)
MPSMU是通用SMU，它具有适中的电
压源和电流源能力以及测量分辨率。
MPSMU的最大输出电压±100V，最大输
出电流为±100mA。最小电流测量分辨
率10fA，最小电压测量分辨率为0.5μV。
高分辨率SMU(HRSMU)
HRSMU适用于要求极高精度的测量，例
如测量栅极漏电流，关断态漏电流和亚
阈值电流测量。HRSMU的最小电流测量
分辨率为1fA(MPSMU为10fA)。此外，
当与阿安测量与开关单元(ASU)一起使用
时，HRSMU更能实现100aA(0.1fA)的电
流测量分辨率，并仍保持MPSMU相同的
电压源和电流源能力。
高功率SMU(HPSMU)
顾名思义，HPSMU比其它SMU扩展了电
压源和电流源能力。HPSMU的最大输出
电压为±200V，最大输出电流为±1A。
200V输出能力可用于击穿电压测量，
1A输出能力支持重要的可靠性测试，如
器件互联电迁移测试。
所有B1500ASMU均为Kelvin型，具有单
独的施加输入和测量输入端口。此外，
所有SMU都能执行准静态CV(电容vs.电
压)测量，其漏电流补偿特性可帮助进行
薄栅极介电层测量。
多频率电容测量单元
(MFCMU)
某些CMOS器件参数需要通过电容测量来
评估，如栅极介电层厚度，端子重叠，以
及介电层间的电容。B1500A的MFCMU
模块能够执行这些电容测量，从而不再需
要单独的外部电容表。
该MFCMU的频率范围为1kHz至5MHz。
并支持±25V的直流偏置。可选的SMU
CMU复合单元(SCUU)支持基于定位器
的晶圆检测环境中的自动切换电容-电
压(CV)测量和电流-电压(IV)测量，因此
能省略执行这一功能的开关矩阵。此外，
SCUU还可将MPSMU或HRSMU作为偏
置源，把电容测量的直流偏置电压扩展到
±100V。
高压半导体脉冲发生器单元
(HV-SPGU)
HV-SPGU专门用于应对先进非易失性存
储器(NVM)的测试挑战，这些测试需要表
征多层式(MLC)闪存的写入/擦除行为。
每一HV-SPGU模块有两个独立通道，每
个通道具有±40V的源能力及内置的三态
特性。一台B1500A最多可装入5块HV-
SPGU模块，并让所有模块通道同步输
出，从而同时向多个器件端口提供脉冲激
励。16445ASMU/PGU选择连接适配器
允许B1500ASMU控制16440ASMU/脉
冲发生器选择器单元，而16440A可以支
持HV-SPGU和SMU间轻松切换。由于具
有这些先进的功能特性，HV-SPGU可提
供无与伦比的写入/擦除耐久性测试能力，
可在短短几小时内完成一百万次循环。
除了支持杰出的闪存单元表征能力
外，HV-SPGU还具有任意线性波形产
生(ALWG)能力，为表征新型NVM，如相
变存储器(PRAM)和阻变存储器(RRAM)输
出复杂的波形序列。
波形发生器/快速测量单元
(WGFMU)
WGFMU是包括ALWG电压脉冲功能和
超快速IV测量功能的双通道模块。可
用10ns的最快采样率设定电压波形。
WGFMU模块的电压输出有16位分辨率，
覆盖的电压量程包括:-5V至5V，-10V
至0V，0V至10V。模块在IV测量时的最
小采样间隔为5ns，并支持1 μA，10μA，
100μA，1mA和10mA的测量量程(14位
分辨率)。
模块覆盖的应用包括脉冲IV测量，先进超
快速负偏置温度不稳定性(NBIT)/正偏置
温度不稳定性(PBTI)测量(包括直流和交
流应力)，随机电报噪声(RTN)测量，微
机电系统(MEMS)电容器表征，新型非易
失存储器表征，以及其它类型的瞬态或时
域测量。
超窄脉冲IV测量系统
B1542A脉冲IV系统为在SOI晶圆上或使
用高k栅极介电层制造的MOSFET提供
测量本征IV特性的10ns脉冲IV能力。该
B1542A包括B1500A，应用软件，脉冲发
生器，示波器和专业配件
。。。。。。
结论
CMOS是目前使用最广的晶体管技术，也是现代电子行业的主干。尽管替代技术在不
断进步，但它们不可能在短期内取代CMOS。高速和低耗这两个相悖的目标需要精确
评估CMOS器件的静态和动态特性。B1500A是一种模块化和配备齐全的仪器，您能
把它配置成能执行最富挑战性CMOS器件测量的解决方案。KeysightEasyEXPERT软件
为B1500A提供简明而直观的仪器控制，应用测试库容易学习掌握，从而能很快开始执
行高效率的CMOS器件测量。
我们的优势：
品种齐全，货源充足，存库雄厚，服务快捷，维修能力强。
欢迎上门看货!价格好商量!您的满意是我们的追求！^_^
我公司对销售的仪器仪表均负责保修一年.
本公司长期供应/租赁/维修二手进口仪器
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B1500ACMOS器件电性表征的全面解决方案B1500A半导体器件分析
引言
互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)场效应管(FET)技术仍然是大规模集成电路，
如微处理器和存储器器件的基础。CMOS技术现在已渗入人们的日常生活，如移动
电话，高清电视和电脑。
改进CMOS器件性能的主要挑战来自两个相悖的目标:高速和低耗。为同时实现这
两个目标，研究人员需要全面表征MOSFET器件参数。不仅要表征静态特性，而
且还要表征器件的动态特性和与时间相关的特性。
近20年来，Keysight4155和4156半导体参数分析仪始终是工业界的标准仪器。
KeysightB1500A半导体器件分析仪更是具有精确表征先进CMOS器件所需测量能
力的新一代半导体参数分析仪。
EasyEXPERT是包括准备就绪的测量库的B1500A标配控制软件。这些测量库覆盖
评估基本CMOS器件和先进CMOS器件的各种参数，包括可靠性测试。
这篇应用指南全面介绍B1500A的主要性能特性，展示B1500A作为CMOS器件电
性表征的全面解决方案。
先进的综合测量能力
B1500A10个模块插槽，众多可选的源/监
视单元(SMU)和其它先进的模块类型，可
通过配置满足对先CMOS制程的最精确测
量要求。图1列出所有适用于B1500A的
模块。
中功率SMU(MPSMU)
MPSMU是通用SMU，它具有适中的电
压源和电流源能力以及测量分辨率。
MPSMU的最大输出电压±100V，最大输
出电流为±100mA。最小电流测量分辨
率10fA，最小电压测量分辨率为0.5μV。
高分辨率SMU(HRSMU)
HRSMU适用于要求极高精度的测量，例
如测量栅极漏电流，关断态漏电流和亚
阈值电流测量。HRSMU的最小电流测量
分辨率为1fA(MPSMU为10fA)。此外，
当与阿安测量与开关单元(ASU)一起使用
时，HRSMU更能实现100aA(0.1fA)的电
流测量分辨率，并仍保持MPSMU相同的
电压源和电流源能力。
高功率SMU(HPSMU)
顾名思义，HPSMU比其它SMU扩展了电
压源和电流源能力。HPSMU的最大输出
电压为±200V，最大输出电流为±1A。
200V输出能力可用于击穿电压测量，
1A输出能力支持重要的可靠性测试，如
器件互联电迁移测试。
所有B1500ASMU均为Kelvin型，具有单
独的施加输入和测量输入端口。此外，
所有SMU都能执行准静态CV(电容vs.电
压)测量，其漏电流补偿特性可帮助进行
薄栅极介电层测量。
多频率电容测量单元
(MFCMU)
某些CMOS器件参数需要通过电容测量来
评估，如栅极介电层厚度，端子重叠，以
及介电层间的电容。B1500A的MFCMU
模块能够执行这些电容测量，从而不再需
要单独的外部电容表。
该MFCMU的频率范围为1kHz至5MHz。
并支持±25V的直流偏置。可选的SMU
CMU复合单元(SCUU)支持基于定位器
的晶圆检测环境中的自动切换电容-电
压(CV)测量和电流-电压(IV)测量，因此
能省略执行这一功能的开关矩阵。此外，
SCUU还可将MPSMU或HRSMU作为偏
置源，把电容测量的直流偏置电压扩展到
±100V。
高压半导体脉冲发生器单元
(HV-SPGU)
HV-SPGU专门用于应对先进非易失性存
储器(NVM)的测试挑战，这些测试需要表
征多层式(MLC)闪存的写入/擦除行为。
每一HV-SPGU模块有两个独立通道，每
个通道具有±40V的源能力及内置的三态
特性。一台B1500A最多可装入5块HV-
SPGU模块，并让所有模块通道同步输
出，从而同时向多个器件端口提供脉冲激
励。16445ASMU/PGU选择连接适配器
允许B1500ASMU控制16440ASMU/脉
冲发生器选择器单元，而16440A可以支
持HV-SPGU和SMU间轻松切换。由于具
有这些先进的功能特性，HV-SPGU可提
供无与伦比的写入/擦除耐久性测试能力，
可在短短几小时内完成一百万次循环。
除了支持杰出的闪存单元表征能力
外，HV-SPGU还具有任意线性波形产
生(ALWG)能力，为表征新型NVM，如相
变存储器(PRAM)和阻变存储器(RRAM)输
出复杂的波形序列。
波形发生器/快速测量单元
(WGFMU)
WGFMU是包括ALWG电压脉冲功能和
超快速IV测量功能的双通道模块。可
用10ns的最快采样率设定电压波形。
WGFMU模块的电压输出有16位分辨率，
覆盖的电压量程包括:-5V至5V，-10V
至0V，0V至10V。模块在IV测量时的最
小采样间隔为5ns，并支持1 μA，10μA，
100μA，1mA和10mA的测量量程(14位
分辨率)。
模块覆盖的应用包括脉冲IV测量，先进超
快速负偏置温度不稳定性(NBIT)/正偏置
温度不稳定性(PBTI)测量(包括直流和交
流应力)，随机电报噪声(RTN)测量，微
机电系统(MEMS)电容器表征，新型非易
失存储器表征，以及其它类型的瞬态或时
域测量。
超窄脉冲IV测量系统
B1542A脉冲IV系统为在SOI晶圆上或使
用高k栅极介电层制造的MOSFET提供
测量本征IV特性的10ns脉冲IV能力。该
B1542A包括B1500A，应用软件，脉冲发
生器，示波器和专业配件
。。。。。。
结论
CMOS是目前使用最广的晶体管技术，也是现代电子行业的主干。尽管替代技术在不
断进步，但它们不可能在短期内取代CMOS。高速和低耗这两个相悖的目标需要精确
评估CMOS器件的静态和动态特性。B1500A是一种模块化和配备齐全的仪器，您能
把它配置成能执行最富挑战性CMOS器件测量的解决方案。KeysightEasyEXPERT软件
为B1500A提供简明而直观的仪器控制，应用测试库容易学习掌握，从而能很快开始执
行高效率的CMOS器件测量。
我们的优势：
品种齐全，货源充足，存库雄厚，服务快捷，维修能力强。
欢迎上门看货!价格好商量!您的满意是我们的追求！^_^
我公司对销售的仪器仪表均负责保修一年.
本公司长期供应/租赁/维修二手进口仪器
