尺寸0.635mm*20mm*25mm。有孔/无孔均可(可下单备注)，可定制各种规格尺寸
日本德山进口原材料，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。
多晶AIN热导率达190~230W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。高导热率，高强度，耐高温，平整度好，耐摔耐磨耐高压！
广泛应用于：
IC、MOS、IGBT 、LED、逆变焊机、电源、大功率设备、IC MOS 管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备，强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。
常规尺寸：
TO-220 14mm*20mm
TO-3P 20mm*25mm
TO-264 22mm*28mm
TO-247 17mm*22mm
120mm*120mm/114mm*114mm
可按客户来图定制各种非标异形陶瓷件。
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尺寸：0.635/1mm*22mm*28mm,有孔、无孔可下单备注！
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氮化铝导热系数：190w/km ，氮化铝陶瓷基片导热性能非常良好，是目前导热领域导热性能很好的材料之一，应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM、光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、叉指电容和螺旋电感等。可根据客户图纸定制任意规格形状，可切割、打孔、划线，激光加工。
1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1μm；
2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，最小值±0.05mm；
3.特殊规格产品可按客户要求定制生产，任意厚度。
氮化铝陶瓷具有优良的热、电、力学性能。高导热性（为氧化铝陶瓷的7-10倍），较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，作为新一代的陶瓷材料，越来越受到人们的关注和重视。
氮化铝陶瓷广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。
常规尺寸：
TO-220 14mm*20mm
TO-3P 20mm*25mm
TO-264 22mm*28mm
TO-247 17mm*22mm
0.38mm*114mm*114mm/0.5mm*114mm*114mm/0.635mm*114mm*114mm/1mm*114mm*114mm/1mm*120mm*120mm/0.5mm*120mm*120mm/0.635mm*120mm*120mm/1.5mm*120mm*120mm
可按客户来图定制各种非标异形陶瓷件。
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