99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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密度：6.20
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禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
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禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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1,物理性质：
密度：6.20
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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4，检测：GDMS，XRD;
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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1,物理性质：
密度：6.20
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2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
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3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
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熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
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1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
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99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
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7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；
99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；