铋（Bi） Bismuth
技术对接： 电解–区域熔炼
检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
1，物理性质：
原子量：208.98040
电负性：1.9
密度：9.78 g/cm3
熔点：271.50 ℃
沸点：1564 ℃
2，规格：
化学纯度：
高纯铋：Bi-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铋：Bi-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm。
3，物理性状：锭，粉，丸，粒，针状等。
4，用途：
主要用于制备族化合物半导体，高纯合金，电子致冷元件，热电转换元件以及原子反应堆中液态冷却载体等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。
铋（Bi） Bismuth
技术对接： 电解–区域熔炼
检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
1，物理性质：
原子量：208.98040
电负性：1.9
密度：9.78 g/cm3
熔点：271.50 ℃
沸点：1564 ℃
2，规格：
化学纯度：
高纯铋：Bi-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铋：Bi-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm。
3，物理性状：锭，粉，丸，粒，针状等。
4，用途：
主要用于制备族化合物半导体，高纯合金，电子致冷元件，热电转换元件以及原子反应堆中液态冷却载体等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。
铋（Bi） Bismuth
技术对接： 电解–区域熔炼
检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
1，物理性质：
原子量：208.98040
电负性：1.9
密度：9.78 g/cm3
熔点：271.50 ℃
沸点：1564 ℃
2，规格：
化学纯度：
高纯铋：Bi-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铋：Bi-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm。
3，物理性状：锭，粉，丸，粒，针状等。
4，用途：
主要用于制备族化合物半导体，高纯合金，电子致冷元件，热电转换元件以及原子反应堆中液态冷却载体等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。
铋（Bi） Bismuth
技术对接： 电解–区域熔炼
检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
1，物理性质：
原子量：208.98040
电负性：1.9
密度：9.78 g/cm3
熔点：271.50 ℃
沸点：1564 ℃
2，规格：
化学纯度：
高纯铋：Bi-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铋：Bi-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm。
3，物理性状：锭，粉，丸，粒，针状等。
4，用途：
主要用于制备族化合物半导体，高纯合金，电子致冷元件，热电转换元件以及原子反应堆中液态冷却载体等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装。
