在线报价P+F接近开关KFD2-STC4-EX2上海办事处
倍加福P+F传感器信号先输入到高输入阻抗的前置放大器中，经过阻抗交换以后，方可用一般的放大检波电路再将信号输入到指示仪表或记录器中。压电式传感器是以某些晶体受力后其表面产生电荷的压电效应为转换原理的传感器，倍加福P+F传感器可以测量传感zui终能变换为力的各种物理量，如力，压力，加速器等。光敏二极管在电路中一般吃鱼反向工作状态，在没有光照射时反向电流很小，称为暗电流，光照射早ON结上，ON结附近产生光电子一空穴时，倍加福P+F传感器在ON结处电场作用下定向运动，形成广电波，光的照度越大，光电流就越大。
倍加福P+F传感器半导体色敏器件相当于两只结构不同的光电二极管的组合，浅结的P+N结构；深结的PN结，又称光电双结二极管，当又入射光照射时，P+,N,P三个区域及其间的势垒区中都吸收光子，但效果 不同，紫外光部分吸收洗漱大，经过很短距离已基本吸收完，浅结的这只光电二极管对紫外光灵敏度高，红外光部分吸收系数小，这类波长的光子则主要在深结区被吸收，深结的那只光电二极管对红外光灵敏度较高，倍加福P+F传感器在半导体中不同的区域对不同的波长分割具有不同的灵敏度，这一特性可用于颜色识别即测量入射光的波长，两只结深不同的光电二极管组合，就构成了可测波长的半导体色敏传感器。
以下是部分型号展示：
AVM58N-011AAROBN-1212
RVI50N-09BK0A3TN-01000
RVI50N-09BKOA3TN-0600
AVS58I-011AAROBN-0012
PVS58N-011AGROBN-0013
AVM58N-011K1RHCN-1212
RHI58N-0BAR1R61N-1000
RVI50N-09BK0A3TN-01000
RVI58N-011K1R61N-5000
RVI50N-09BK0A3TN-1000
AVM58I-011AAROBN-1212
AVM58N-011K1R0GN-1213
AVM58N-032K1R0GN-1212
AVM58N-011K1R0GN-1212
RVI58N-011AAA66N-01024
RVI78N-10CK2A31N-3000
RVI58N-011K1R61N-01024
RHI58N-OBAK1R61N-1024
HI58N-OBAK1R6XN-1024
RVI58N-032K1R31N-00600
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