碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

产品详情

· 品牌/厂家：乐山凯亚达

· 产品名称：碲化铋

· 牌号：乐山凯亚达

· 类型：化合物半导体材料

· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 类型：化合物半导体材料

· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 外观：粉末

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· 分子量：800.76

熔点：585 °C

碲化铋：P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

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· 材质：碲化铋

· 用途：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等

· 外观：粉末

· 产地：四川

· 密度：7.642g/cm3

· CAS号：1304-82-1

· 分子量：800.76

熔点：585 °C