P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；

P/N型碲化铋(P/N-Type Bi2Te3)
1，纯度：4N(99.99%）；
2，P型：碲化铋掺锑（doped Antimony)
   N型：碲化铋掺硒（doped Selenium)
3, 应用：形成P/N节用于半导体制冷，温差发电等；
4，技术对接：真空熔炼--引晶（晶体定向生长）--区域熔炼--去除两端；
5，粒度：颗粒；粉末：3微米左右（可喷涂）制备P/N节；