【LSG03N65功率MOSFET LSG02N65电路TO-252F封装】价格_厂家

LSG03N65功率MOSFET LSG02N65电路TO-252F封装

不限

￥1

中国咸阳

产品属性

图文详情

品牌推荐

品牌

骊创

型号

LSG03N65

批号

18+

封装形式

D08S2、T08A4、J08S2

类型

数字集成电路

用途

军工

功能

单片机

导电类型

单极型

封装外形

双列直插式

集成度

小规模

工作电源电压

最大功率

25W

工作温度

3℃

外形尺寸

1mm

加工定制

非加工定制

陶瓷

SMD-0.5、SMD-1、SMD-2等

金属

TO-39、TO-46、TO-3、TO-254、TO-257、TO-267等

塑封

OT23-3、SOP8、TO-220、TO-220F、TO-220MF、

塑封.

TO-220HF、TO-247、TO-262、TO-263、TO-251

塑封..

（IPAK）、TO-252（DPAK）、DFN5*6、DFN8*8等

联系人：何小艳旺旺名（xingyin03）

商务QQ:3175355527

手机：13399200992/15592022555

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Super Junction MOSFET

LonFETTM 功率MOSFET采用先进的超级结技术制造，具有极低的导通电阻和栅极电荷，显著降低导通和开关损耗，特别适合高功率密度和高效率应用。具有极低的导通电阻和栅极电荷，显著降低导通和开关损耗，能提高电源系统的密度和效率，并具有很高的性价比。

• 基于超级结MOSFET可以设计功率密度更高，效率更高和温升更低的电源。Split Gate Trench（SGT） MOSFET

SGT MOSFET结构是在传统Trench MOSFET栅极基础上增加了一块多晶硅电极，即屏蔽栅极。屏蔽栅极与源极相连，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了密勒电容，加快了开关速度，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区电阻。此外，该结构器件还在垂直耗尽基础上引入了水平耗尽，将漂移区电场由三角形分布改变为梯形分布，因此该结构器件具有击穿电压高、导通电阻小、开关损耗低的特点。

技术特点：

• 深沟槽结构；

• 利用电荷平衡原理，实现同样击穿电压时漂移区电阻降低，极大降低器件的特征电阻；

• 利用MOS电容实现电荷平衡，更加可控；

• 由于屏蔽栅的存在，极大降低了米勒电容。l 更低的特征电阻RDS(on)X AChip

IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor）

IGBT采用场截止（Field-Stop）技术及沟槽栅结构，可以实现通态损耗和器件耐压以及通态损耗和开关损耗之间的良好折中。

技术特点：

• 饱和压降为正温度系数，易于并联使用；

• 具有一定的短路能力；

• 开关速度快且关断损耗较低；

• 高可靠性及热稳定性；

• 内置快恢复二极管等。

高压超级结MOSFET
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	RDS(ON) (Ω) (VGS=10V)		Qg(nC) (VGS=10V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	替代国外型号 (Infineon、ST)
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	Typ.	Max.	Typ.	VGS (V)	Typ.	替代国外型号 (Infineon、ST)
500V	LX50N3K2X	500	1.5	11	2.95	3.2	3.6	30	3.5	IPX50R3K0CE
600V	LX60N030X	600	100	590	0.027	0.030	137	30	3.5	IPX0R041P6、IPX0R017C7
	LX60N070X	600	47	290	0.062	0.070	87	30	3.5	IPX60R080P7、IPX60R060C7
	LX60N180X	600	20	146	0.15	0.18	30	30	3.5	IPA60R180P7
	LX60N280X	600	15	130	0.25	0.28	19	30	3.5	IPX0R280P6
	LX60N380X	600	11	90	0.33	0.38	14.7	30	3.5	IPD60R380P6
	LX60N1K4X	600	3		1.20	1.40		30	3.5	IPD60R1K5CE
	LX60N039X	600	80	500	0.035	0.039	110	30	3.5	IPZA60R037P7
650V	LX65N650X	650	7	63	0.55	0.65	13	30	3.5	IPD65R650CE
	LX65N041X	650	78	500	0.036	0.041	110	30	3.5	IPB65R045C7
	LX65N070X	650	47	290	0.062	0.07	87	30	3.0	IPP65R065C7
	LX65N180X	650	20	205	0.15	0.18	39	30	3.5	IPB65R190C7
	LX65N380X	650	11	125	0.34	0.38	23	30	3.5	IPB65R310CFD
	LX65N930X	650	4	50	0.82	0.93	13.6	30	3.5	IPL65R1K0C6S
	LX65N1K6X	650	3	38	1.35	1.6	10.5	30	3.5	IPX65R1K5C6S
700V	LX70N450X	700	11	125	0.40	0.45	23	30	3.5	IPA70R450P7S
	LX70N640X	700	7	40	0.57	0.64	15	30	3.5	IPA70R750P7S
	LX70N1K0X	700	4	50	1.0	1.08	13	30	3.5	IPSA70R1K4P7S
800V	LX80N1K2X	800	6.5	83	0.88	1.2	13	30	3.5	IPA80R1K2P7
900V	LX90N1K4X	900	6.5	83	1.16	1.45	13	30	3.5	IPX90R1K2C3

高压平面MOSFET
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	RDS(ON) (Ω) (VGS=10V)		Qg(nC) (VGS=10V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	替代国外型号 (Toshiba)
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	Typ.	Max.	Typ.	VGS (V)	Typ.	替代国外型号 (Toshiba)
600V	LX60N4K5X	600	2	35	3.6	4.5	10	30	3.0	TK3XA60DA
	LX60N2K4X	600	4	77	2	2.4	12	30	3.0	TK4X60D
	LX60N1K3X	600	7	100	1	1.3	20	30	3.0	TK8X60DA
650V	LX65N5K2X	650	2	35	4.2	5.2	10	30	3.0	TK2X65D
	LX65N2K7X	650	4	77	2.5	2.7	12	30	3.0	TK4X65DA
	LX65N1K4X	650	7	100	1.2	1.4	22	30	3.0	TK7X65D

中低压Trench MOSFET
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	RDS(ON) (mΩ) (VGS=10V)		Qg(nC) (VGS=10V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	替代国外型号 (Infineon、ST)
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	Typ.	Max.	Typ.	VGS (V)	Typ.	替代国外型号 (Infineon、ST)
20V	LX02P110X	-20	-2	0.7	80	110	--	12	-0.75	IRLML2246TRPBF-1
20V	LX02N042X	20	4	1	30	42	--	12	0.75	IRLML2402
30V	LX03N003X	30	120	150	1.8	3.1	146	20	1.6	IRF1503
40V	LX04N003X	40	120	150	2.7	3.5	139	20	1.8	IRF2204
	LX04N005X	40	100	100	3.8	5	--	20	1.5	IRF4104
	LX04N007X	40	80	83	5.6	7.5	51	20	1.5	IRF7842
	LX04N012X	40	47	54	9.2	12	--	20	1.5	IRF7470
	LX04N016X	40	39	50	13	16.5	--	20	1.5	IRF7470
50V	LX05N007X	50	80	110	5.8	7.5	--	20	1.4
	LX05N010X	50	64	83	7	10	--	20	1.5
	LX05N015X	50	40	54	12	15.5	--	20	1.5
	LX05N023X	50	32	50	18	23	--	20	1.5
60V	LX06N006X	60	100	110	4.5	6.2	130	20	2	IRFU7546
	LX06N008X	60	80	110	6.5	7.9	--	20	1.3	IRFR1018E
	LX06N011X	60	70	120	8	11	--	20	1.6	IRFZ44VZ
	LX06N014X	60	45	63	10	14	--	20	1.4	IRFH5406
	LX06N023X	60	34	54	17	23	--	20	1.6	IRFZ44E
	LX06N031X	60	28	50	25	31	--	20	1.4	IPD350N06L G
80V	LX08N008X	80	80	147	6.5	8.5	127	20	1.6
80V	LX08N016X	80	60	110	12.5	16	--	20	1.6	IRF7493
100V	LX10N018X	100	80	147	13.5	18	127	20	2	IRF3710Z
100V	LX10N066X	100	15	30	--	66	11.9	20	3.3	BSC750N10ND G IRFI4212H-117P

中低压SGT MOSFET
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	RDS(ON) (mΩ) (VGS=10V)		Qg(nC) (VGS=10V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	替代国外型号 (Infineon、ST)
Voltage level	Part Number	VDS (V)	ID (A) 25℃	PD (W) 25℃	Typ.	Max.	Typ.	VGS (V)	Typ.	替代国外型号 (Infineon、ST)
40V	LX04N002X	40	240	181	1.7	2	60	20	1.8	BSC022N04LS
40V	LX04N003X	40	--	--	2.6	3.1	--	20	1.8	BSC030N04NS G
85V	LX08N005X	85	120	189	4.6	5.5	46	20	3	IPP052N08N5
85V	LX08N006X	85	80	96	5	6	46	20	3	IPA057N08N3 G
100V	LX10N004X	100	120	147	3.3	4	117	20	3	IPB042N10N3 G
	LX10N008X	100	80	150	6.8	8	45	20	3	IPD082N10N3 G
	LX10N008X	100	60	--	7.3	8.5	45	20	3	IPI086N10N3 G

IGBT
Voltage level	Part Number	Die Characteristics	VCES (V)	IC(A)		VCE(sat) (V)	VGE(th) (V)	VF(V)	替代国外型号 (Infineon、ST)
Voltage level	Part Number	Die Characteristics	VCES (V)	25℃	100℃	Typ.	Typ.	Typ.	替代国外型号 (Infineon、ST)
600V	LX60N08X	Trench FS	600	16	8	1.65	5.6	1.4	IRGIB7B60KD
1200V	LX120N40X	Trench FS	1200	80	40	1.85	5.8	2.2	IKX0N120CS6

快恢复二极管
Voltage level	Part Number	VRRM	IF(AV)	VF	trr	RthJC	替代国外型号 (Infineon、ST)
Voltage level	Part Number	(V)	(A)	tye(V)	tye(ns) Irate@25℃	(°C/W)	替代国外型号 (Infineon、ST)
600V	LDX60U08X	600	8	1.8	19	2.2	STTH8S06
	LDX60U10X	600	10	1.8	20	2.2	STTH10LCD06C
	LDX60U15X	600	15	1.1	20	2.2	STTH15AC06C
	LDX60U30X	600	30	2	20	0.8	STTH30ACS06W
	LMX60U30X	600	2×15	2	20	1.3	STTH30R06C
	LDX60U60X	600	60	1.9	25	0.5	STTH60L06
1200V	LDX120U15X	1200	15	2.8	25	1	STTH15S12
	LDX120U30X	1200	30	2.6	27	1.2	STTH30S12
	LDX120U60X	1200	60	2.8	30	0.4	STTH6012

注：以上产品为我司主要型号，非全部型号，详细信息请与我们销售联系；我司也可以按用户需求，提供开发定制各类MOSFET产品，欢迎各新老用户莅临参观指导及合作洽谈。

产品命名：

Ø MOSFET产品：

Ø IGBT产品：

Ø 快恢复二极管

LSB20N60

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