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一种光刻机用晶圆片匀胶装置 本涉及晶圆片光刻技术领域,尤其涉及一种光刻机用晶圆片匀胶装置,所述匀胶装置包括固定框、基座、水平调节装置、固定支架、旋转装置、真空吸盘、真空发生器、可调节弹簧和感应装置；所述基座位于固定框上部；所述水平调节装置固定在固定框内；所述固定支架安装在基座上方；所述旋转装置安装在固定支架上；所属真空吸盘位于旋转装置上方；所述真空发生器位于真空吸盘右下方,真空发生器与真空吸盘相连通；所述可调节弹簧数量为三,可调节弹簧之间呈120°分布,可调节弹簧位于基座与固定框之间；所述感应装置位于固定框上方；本装置可以有效保证晶圆片水平固定在真空吸盘上,从而保证晶圆片表面涂覆胶的厚度均匀。 1.一种光刻机用晶圆片匀胶装置,其特征在于：所述匀胶装置包括固定框(1)、基座(2)、水平调节装置(3)、固定支架(4)、旋转装置(5)、真空吸盘(6)、真空发生器(7)、可调节弹簧(8)和感应装置(9)；所述基座(2)位于固定框(1)上部,基座(2)用于安装固定支架(4)；所述水平调节装置(3)固定在固定框(1)内,水平调节装置(3)用于调节基座(2)的水平；所述固定支架(4)安装在基座(2)上方,固定支架(4)用于安装旋转装置(5)；所述旋转装置(5)安装在固定支架(4)上,旋转装置(5)用于带动真空吸盘(6)旋转；所述真空吸盘(6)位于旋转装置(5)上方,真空吸盘(6)用于固定晶圆；所述真空发生器(7)位于真空吸盘(6)右下方,真空发生器(7)与真空吸盘(6)相连通,真空发生器(7)用于为真空吸盘(6)提供真空条件；所述可调节弹簧(8)数量为三,可调节弹簧(8)之间呈120°分布,可调节弹簧(8)位于基座(2)与固定框(1)之间,可调节弹簧(8)上端与基座(2)底端相连,可调节弹簧(8)下端与固定框(1)顶部相连,可调节弹簧(8)用于固定基座(2),同时可调节弹簧(8)还用于调节基座(2)的水平；所述感应装置(9)位于固定框(1)上方,感应装置(9)包括固定杆(91)和感应器(92),感应装置(9)用于判断基座(2)是否水平；所述固定杆(91)数量为二,固定杆(91)左右对称放置在基座(2)两侧,固定杆(91)用于固定感应器(92)；所述感应器(92)固定在固定杆(91)上,感应器(92)用于判断基座(2)是否水平。
基于接近式紫外曝光和生长薄膜法制备纳米通道的方法 本属于微机电研究领域,涉及一种基于接近式紫外曝光和生长薄膜法制备纳米通道的方法。本采用接近式紫外曝光技术和反应离子刻蚀刻蚀技术,制备硅纳米模具,通过热压印将硅纳米模具的图形转移至SU#8光刻胶胶膜上,形成纳米沟道,再通过生长Parylene薄膜,缩小沟道尺寸,获得宽度小于50nm的纳米沟道,并用SU#8光刻胶盖板通过氧等离子体辅助热键合,实现纳米沟道的封装,最终获得高度和宽度均小于50nm的纳米通道。本具有操作简单,价格低廉,生产效率高的特点。 1.一种基于接近式紫外曝光和生长薄膜法制备纳米通道的方法,其特征在于,具体步骤如下：(1)采用接近式紫外曝光技术制备硅纳米模具的AZ703光刻胶纳米掩膜六甲基二硅胺在干燥塔中静置10～15min,使干燥塔内充满HMDS蒸汽；将硅片放置在干燥塔中20～30min,对硅片表面进行修饰；取出硅片,将硅片放置在热板上预热3～5min,使硅片表面形成一层粘结层,以提高硅片与AZ703光刻胶的结合力,防止显影时光刻胶图形脱落；在修饰后的硅片表面上旋涂正性AZ703光刻胶,首先在600～900r/s的条件下旋涂9～12s,然后在6000～7000r/s的条件下旋涂30～40s；将旋涂有AZ703光刻胶的硅片置于85～95℃的热板上前烘30～40min,去除光刻胶AZ703中的溶剂,硅片上形成厚度为纳米级的AZ703光刻胶胶膜；以石英铬版为掩膜版,对覆盖有AZ703光刻胶胶膜的硅片进行接近式紫外曝光,石英铬版与AZ703光刻胶胶膜表面的距离为20～35微米；曝光时,紫外光在掩膜版与AZ703光刻胶胶膜表面之间发生衍射效应,导致曝光区域变宽,曝光剂量225～300mJ/cm2,加强衍射效应,使紫外光衍射区域的AZ703光刻胶胶膜被完全曝光,避免显影时AZ703光刻胶残留；曝光后,对AZ703光刻胶胶膜进行显影,曝光区域的AZ703光刻胶胶膜被腐蚀,留下纳米级尺寸的AZ703光刻胶胶膜；由于留下的AZ703光刻胶胶膜的线条窄,采取浸泡式显影,以防止AZ703光刻胶胶膜的线条脱落；浸泡时间为2～3min,以保证AZ703光刻胶胶膜完全显影；显影后,得到高度和宽度均为纳米级的AZ703光刻胶纳米掩膜,其高度为甩胶厚度,宽度由掩膜版与AZ703光刻胶胶膜表面的距离和曝光时间决定；(2)采用反应离子刻蚀技术刻蚀硅片,得到硅纳米模具以步骤(1)得到的AZ703光刻胶纳米掩膜为掩膜,通过反应离子刻蚀技术对硅片进行刻蚀,反应离子刻蚀的参数：刻蚀气体为SF6和O2,其流量分别为140～160sccm和14～18sccm,反应腔压力为0.015～0.020mBar,刻蚀的上电极功率1500～1800W,下电极功率20～60W；钝化气体为C4F8,其流量为120～150sccm,反应腔压力为0.015～0.020mBar,钝化上电极功率1500～1800W,下电极功率40～80W,刻蚀/钝化循环周期为2s/1s或3s/2s,刻蚀时间15～40s；刻蚀过程中,未被AZ703光刻胶纳米掩膜覆盖的硅片被刻蚀,留下宽度为纳米级的硅片,其高度由刻蚀时间决定；用丙酮腐蚀去除AZ703光刻胶纳米掩膜,得到宽度和深度均为纳米级的硅纳米模具；(3)采用热压印法,在SU#8光刻胶上制备纳米沟道以玻璃片作为基底,在基底上旋涂一层紫外固化的SU#8光刻胶,在转速3000～4000r/s的条件下旋涂时间30～40s；在85～95℃的热板上前烘30～40min,去除SU#8光刻胶中的溶剂,使基底表面形成一层SU#8光刻胶胶膜；将步骤(2)得到的硅纳米模具放入二甲基二氯硅烷中浸泡10～15s,再放入甲苯溶液中浸泡10～15s,用氮气枪吹干,完成硅纳米模具的表面修饰,使其表面形成一层脱模剂；用表面修饰后的硅纳米模具对基底表面上的SU#8光刻胶胶膜进行热压印,防止热压后脱模时硅纳米模具纳米结构损坏；热压印时,压印温度85～95℃,压印压力0.1～0.2MPa,压印时间10～15min；SU#8光刻胶成粘流态,在压力下填充硅纳米模具；压印后,采用背面紫外曝光和带模具后烘的方式固化SU#8光刻胶,以防止SU#8固化交联后收缩,导致纳米沟道变形；曝光强度1～1.5mW/cm2,曝光时间5～8min,曝光后在85～95℃的热板上后烘1～3min,使纳米沟道交联固化；待冷却后,将硅纳米模具脱模,得到纳米沟道；(4)在纳米沟道表面生长Parylene薄膜,缩小沟道尺寸,制备宽度小于50nm的纳米沟道以步骤(3)得到的纳米沟道为基片,在其表面上生长Parylene材料,材料质量0.05～0.15g,材料裂解温度650～690℃,腔室温度135～150℃,使基片表面覆盖一层Parylene薄膜；由于Parylene材料生长时具有台阶覆盖性,在纳米沟道底部和侧壁同时形成一层Parylene薄膜,从而导致纳米沟道尺寸缩小,获得宽度小于50nm的纳米沟道；为了降低纳米沟道表面粗糙度,提高薄膜生长质量,生长Parylene薄膜时,选取腔室压差10～15mTorr；(5)采用热键合技术,对纳米沟道进行封装,得到尺寸小于50nm的纳米通道在PDMS基底上旋涂SU#8光刻胶,在转速3500～4500r/s的条件下旋涂时间40～45s；在85～95℃的热板上前烘30～40min,得到SU#8光刻胶盖板；将步骤(4)得到的纳米沟道与SU#8光刻胶盖板进行氧等离子处理,氧等离子体功率20～30W,处理时间40～60s,以提高两者之间的表面结合力；对二者进行热键合,键合温度为55～60℃,使SU#8光刻胶温度达到玻璃点,呈熔融态；键合压力0.05～0.08Mpa,键合时间5～6min,在压力的作用下,SU#8光刻胶盖板塌陷,熔融态的SU#8光刻胶流入纳米沟道,使纳米沟道高度减小至50nm以下；待冷却后,揭掉PDMS基底,得到尺寸小于50nm的纳米通道。
一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法 本提出了一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法,包括光源箱体、矩阵点光源装置、成像器、光刻产品和曝光台；光源箱体内设有LED成像光源,矩阵点光源装置设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板,并借助影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对发光源像素点配电发光,形成点光源图像,成像器由若干块镜片组成,物镜把点光源图像按比例缩小,再被映射到光刻产品上；该光源直接成像聚焦光刻装置,无需使用底片或掩膜版及掩膜台的辅助,大大减少成本和设备运动所需控制的精度要求,由于可采用光纤作为发光源像素点,理论可以极限小到3#5μm级的成像像素点,满足中端以上精度的光刻工艺要求。 1.一种光源直接成像聚焦光刻装置,包括光源箱体、矩阵点光源装置、成像器、光刻产品和曝光台,其特征在于：所述光源箱体内设有LED成像光源,用于固定和支撑所述矩阵点光源装置；所述矩阵点光源装置设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板,所述发光源像素点均准直发光,所述成像面板制作为平面或曲面,并借助计算机影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对涉及到的发光源像素点同时或逐一配电发光,根据图像信息显示并发光形成点光源图像；所述成像器由若干块镜片组成,所述物镜把所述矩阵点光源装置呈现的点光源图像(原线路设计图)按比例缩小,再被映射到所述光刻产品上,并且物镜按照特定光学成像精度补偿各种光学误差；所述光刻产品包括但不限于覆铜板或者半导体硅片,其贴附在所述曝光台上,所述光刻产品涂有感光材料。
一种光刻胶固定装置 本实用新型公开了种光刻胶固定装置,包括一底部设有吸盘的基座,所述基座上端设有若干呈等距设置的刻度条,同时还包括至少五张光刻胶片,所述至少五张光刻胶片呈上下叠加放置于刻度条上端,同时基座两侧设有卡条,使所有光刻胶片和基座之间形成连接,同时还包括一涂胶管,以及一设置于基座右侧的凹槽,所述涂胶管和凹槽底部之间通过一弹簧相连接,所述弹簧的弹性以及涂胶管的大小为：当弹簧完全收缩时,所述涂胶管完全位于凹槽内；本实用新型采用光刻胶固定装置来进行标记设定,并且可以采用有机清洗来擦除标记,而且成本低廉,使用方便,结构简单。 1.一种光刻胶固定装置,包括一底部设有吸盘的基座,其特征在于,所述基座上端设有若干呈等距设置的刻度条,同时还包括至少五张光刻胶片,所述至少五张光刻胶片呈上下叠加放置于刻度条上端,同时基座两侧设有卡条,使所有光刻胶片和基座之间形成连接,同时还包括一涂胶管,以及一设置于基座右侧的凹槽,所述涂胶管和凹槽底部之间通过一弹簧相连接,所述弹簧的弹性以及涂胶管的大小为：当弹簧完全收缩时,所述涂胶管完全位于凹槽内。
一种探测器的金属电极形成方法 本公开了一种探测器的金属电极形成方法,包括：提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构；在敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖；在金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出；在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形；去除光刻胶图形；以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。本可使得形成探测器金属电极的工艺变得容易控制和实现。 1.一种探测器的金属电极形成方法,其特征在于,包括以下步骤：步骤S01：提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构；步骤S02：在所述敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖；步骤S03：在所述金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出；步骤S04：在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形；步骤S05：去除光刻胶图形；步骤S06：以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。
X射线自支撑闪耀透射光栅的制备方法 本适用于光栅微纳米加工技术领域,提供了一种X射线自支撑闪耀透射光栅的制备方法,制备方法以金属催化刻蚀为核心,金属催化刻蚀的原理是：与金属掩模接触的硅在金属的催化作用下与刻蚀液发生反应而溶解,从而向下刻蚀形成与掩模一致的微结构,该方法制作的光栅支撑结构不会向底部展宽,从而满足光栅有效使用面积大的要求；金属催化刻蚀是湿法刻蚀法,光栅侧壁非常光滑,可以达到100nm#RMS量级；金属催化刻蚀技术不需要对准,工艺更为简单。总的来说,本与现有技术相比,其有益技术效果体现在：能同时满足X射线自支撑闪耀透射光栅的大有效面积和侧壁光滑的需求；不需要对准,工艺更为简单。 1.一种X射线自支撑闪耀透射光栅的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤：S1、以SOI硅片为基底,在基底的上表面镀Cr膜,在下表面镀氮化硅膜；S2、在基片上表面及下表面分别涂布光刻胶,利用紫外光刻在上表面制作光栅支撑结构掩模,在下表面制作光栅外框掩模；S3、在下表面通过反应离子刻蚀氮化硅膜,在上表面湿法刻蚀Cr膜；S4、去除上表面及下表面的光刻胶；S5、在基片上表面依次涂布减反膜和光刻胶；S6、全息光刻制作光栅掩模,光栅掩模的延伸方向垂直于光栅支撑结构掩模的延伸方向；S7、反应离子刻蚀将光刻胶光栅掩模图案转移到减反膜中；S8、上表面垂直基片向下沉积催化金属,催化金属为金、银或铂；S9、去除光刻胶、减反膜、Cr膜、及附着于光刻胶和Cr膜上的催化金属；S10、在基底上表面涂布耐碱保护胶；S11、腐蚀下表面的单晶硅,腐蚀截止至中间SiO2层；S12、去除耐碱保护胶；S13、去除氮化硅以及窗口内中间SiO2层；S14、将基片放入由氢氟酸与氧化剂组成的刻蚀液中进行金属催化刻蚀；S15、去除催化金属、漂洗并干燥后,获得X射线自支撑闪耀透射光栅。
光子晶体谐振腔树状结构波束形成网络芯片及其制备方法 本提供一种光子晶体谐振腔树状结构波束形成网络芯片其制备方法,涉及雷达领域。本公开了一种光子晶体谐振腔树状结构波束形成网络芯片,波束形成网络结构层,所述波束形成网络结构层包括入射耦合光栅、级至第N级光子晶体谐振腔组合、光波导至第N+1光波导、出射耦合光栅依次连接；每级光子晶体谐振腔组合支路数为前一级光子晶体谐振腔组合支路数的整数倍,两级光子晶体晶体谐振腔组合之间通过光波导连接。解决了现有技术中调节过程中需要大量光子晶体谐振腔,调节难度大的技术问题。本可以节省大量的光子晶体谐振腔,调节难度低,可用于雷达领域。 1.一种光子晶体谐振腔树状结构波束形成网络芯片,包括波束形成网络结构层(3),其特征在于,所述波束形成网络结构层(3)包括入射耦合光栅(5)、级光子晶体谐振组合(6)、第二级光子晶体谐振腔组合(7)、...、第N级光子晶体谐振腔组合(8)、光波导(9)、第二光波导(10)、...、第N光波导(11)、第N+1光波导(12)、出射耦合光栅(13)；所述第二级光子晶体谐振腔组合(7)包括B1条支路,所述第三级光子晶体谐振腔包括的支路数为所述第二级光子晶体谐振腔组合(7)支路数的B2倍,...,所述第N级光子晶体谐振腔组合(8)的支路数为第N#1级光子晶体谐振强组合支路数的BN#1倍；所述入射耦合光栅(5)通过光波导(9)与所述级光子晶体谐振腔组合(6)连接,所述级光子晶体谐振腔组合(6)连接所述第二光波导(10),所述第二光波导(10)远离所述级光子晶体谐振腔组合(6)一端分叉为B1条岔路,且所述第二光波导(10)分为的每条岔路与所述第二级光子晶体谐振腔组合(7)的B1条支路一对一连接,...,所述第N#1级光子晶体谐振腔组合每条支路均分别连接一条所述第N光波导(11),每条所述第N光波导(11)远离所述第N#1级光子晶体谐振腔组合一端均分叉为BN#1条岔路,且所述第N光波导分为的每条岔路与所述第N级光子晶体谐振腔组合(8)的每条支路一对一连接,所述第N级光子晶体谐振腔组合(8)的每条支路通过均通过一条第N+1光波导(12)连接一个出射耦合光栅(13)；其中：N为正整数,且N大于等于2；其中B1至BN#1均为正整数,且B1大于等于2。
一种制备米量级光栅的扫描曝光装置 本新型属于信息光学领域,涉及一种制备米量级光栅的扫描曝光装置；为解决制作米级光栅曝光时间过长引起的时效性差以及环境不确定性导致扫描条纹对比度下降问题,采用干涉条纹扫描技术无缝连续拼接光栅；在扫描曝光过程中,运用多维条纹锁定技术,始终以扫描曝光过的潜像光栅的潜像条纹作为锁定条纹,直至扫描曝光结束；在移动曝光中实现了实时闭环的锁定曝光光束与第二曝光光束的相位差,条纹周期、以及曝光光束与第二曝光光束夹角,从而在一个扫描周期即可获得高质量的且受环境因素影响小的无缝拼接米级光栅；光束整形压缩柱面系统的使用有效增加了光束的利用率,同时保证光束的波面质量,大大缩短了米量级光栅的制备时间。 1.一种制备米量级光栅的扫描曝光装置,包括激光器、分束棱镜、半波片、光束转折系统、第二光束转折系统、声光调制器、第二声光调制器、安装在三维压电陶瓷平移台上的空间滤波器、第二空间滤波器、非球面准直透镜、第二非球面准直透镜、光束整形压缩柱面系统、第二光束整形压缩柱面系统、光闸、第二光闸、楔形衰减板、平行衰减板、光电探测器、光刻胶光栅基板、光刻胶边参考光栅基板、可移动曝光平台、自准直角度检测组元；所述的光束转折系统以及第二光束转折系统分别由至少一片反射镜组成用于改变光传播方向；所述的空间滤波器以及第二空间滤波器分别由会聚透镜和针孔滤波器组成用于将激光束调制成球面波；所述的自准直角度检测组元为一自准直光路,用于监测光刻胶光栅基板的姿态变化情况；由氦氖激光器、自准直扩束系统、第二光电探测器组成,氦氖激光器发出的光束垂直入射至光刻胶光栅基板上,被光刻胶光栅基板反射的光束入射至第二光电探测器；所述的光刻胶光栅基板为矩形,以光刻胶光栅基板的长边方向为x轴,以光刻胶光栅基板的短边方向为y轴,光刻胶光栅基板的涂有光刻胶一面的外法线方向为z轴正方向；所述的x轴、y轴、z轴构成的坐标系满足右手螺旋；所述的光刻胶光栅基板与光刻胶边参考光栅基板沿x轴方向拼接并且都固定在可移动曝光平台上；光刻胶边参考光栅基板位于光刻胶光栅基板x轴正方向一侧；激光器发出的光经过分束棱镜分成两束光,透射光做为束光经过半波片、光束转折系统,再经声光调制器,进入空间滤波器,然后经过非球面准直透镜,扩束成全口径平行光,经过光束整形柱面压缩系统,沿y轴方向的光束尺寸保持不变,沿x轴方向的光束尺寸压缩至原来的1/6#1/4；被光束整形柱面压缩系统压缩后的光一部分经过光闸,另一部分经过楔形衰减板；经过楔形衰减板的光束称为监测光束,经过光闸的光束称为曝光光束,监测光束与曝光光束的截面宽度一致,最后都投射到光刻胶光栅基板上；反射光作为第二束光经过第二光束转折系统,进入第二声光调制器,经过第二空间滤波器,然后经过第二非球面准直透镜,扩束成全口径平行光,经过第二光束整形柱面压缩系统,沿y轴方向的光束尺寸保持不变,沿x轴方向的光束尺寸压缩至原来的1/6#1/4,被第二光束整形柱面压缩系统压缩后的光一部分经过第二光闸,另一部分经过平行衰减板；经过平行衰减板的光束称为第二监测光束,经过第二光闸的光束称为第二曝光光束,第二监测光束与第二曝光光束的截面宽度一致,最后都投射到光刻胶光栅基板上；监测光束投射到光刻胶光栅基板的0级反射光投射到平行衰减板上,折入光电探测器；第二监测光束投射到光刻胶光栅基板的#1级反射衍射光沿原路投射到平行衰减板上,最后折入光电探测器；所述光电探测器采集到的条纹中的相位信息反馈至声光调制器、第二声光调制器；光电探测器采集到的条纹中的周期信息反馈至安装有空间滤波器的三维压电陶瓷平移台上；声光调制器与第二声光调制器分别控制曝光光束与第二曝光光束使其相位差恒定；三维压电陶瓷平移台控制采集到的条纹周期恒定；所述第二光电探测器采集到的光斑信息反馈至安装有空间滤波器的三维压电陶瓷平移台上,三维压电陶瓷平移台控制曝光光束与第二曝光光束夹角保持恒定。
自适应雷达中比相法悬臂梁直接MEMS微波检测解调系统 本的自适应雷达中比相法悬臂梁直接MEMS微波检测解调系统,主要由六端口悬臂梁耦合器,微波频率检测模块,微波相位检测模块以及微波功率检测和解调模块四部分组成；自适应雷达由天线、收发转换电路、MEMS微波检测和解调单片集成系统、信号存储器、信号分析器、微波信号重构、微波信号调制器和微波信号功率放大器构成。该结构能够完成对微波信号的功率、频率、相位三种检测模块进行集成,以及对同一时刻的微波信号的功率、频率和相位同时同步检测,和对已调制信号的解调,实现了自适应雷达中比相法悬臂梁直接MEMS微波检测解调系统。 1.一种自适应雷达中比相法悬臂梁直接MEMS微波检测解调系统,其特征在于该检测解调系统包括六端口悬臂梁耦合器(1),微波频率检测模块(2),微波功率检测和解调模块(3),微波相位检测模块(4)；其中六端口悬臂梁耦合器(1)的端口(1#1)到第三端口(1#3)和第五端口(1#5)的耦合度相同,到第四端口(1#4)、第六端口(1#6)的功率耦合度也相同；待测信号经端口(1#1)输入,由第二端口(1#2)输出到直接加热式微波功率检测器(5#1),进行微波功率检测；以及应用直接加热式微波功率检测器(5#1)的非线性特性和低通滤波特性对已调制信号进行解调；第三端口(1#3)和第四端口(1#4)分别输出到微波频率检测模块(2)的第三Wilkinson功率合成器(6#3)的两个输入端口,第三Wilkinson功率合成器(6#3)的输出端连接第二直接加热式微波功率传感器(5#2),进行微波频率检测；由第五端口(1#5)和第六端口(1#6)分别输出到微波相位检测模块(4)的Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的一端,并由Wilkinson功率分配器(7)的两个输出端分别连接到Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的另一端,而Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的输出端连接到第三直接加热式微波功率检测器(5#3)和第四直接加热式微波功率检测器(5#4),进行微波相位检测；该结构对微波信号的功率、频率、相位三种检测模块进行了集成,完成了对同一时刻的微波信号的功率、频率和相位同时同步检测,以满足自适应雷达实时匹配通讯的要求,和对已调制信号的解调；Si衬底(8),SiO2层(12),共面波导(13),终端电阻(18),传输线地线(20),半导体臂(19),输出电极(21)构成直接加热式微波功传感器；微波功率通过CPW即共面波导(13)输入到终端电阻(18)转换为热能；通过测量输出电极(21)的热电势可知输入微波功率大小。
COA型阵列基板及其制作方法 本提供一种COA型阵列基板及其制作方法。该COA型阵列基板的制作方法,通过在顶面向底面凹陷的多个第三色阻单元上形成平坦层；该平坦层对应每个第三色阻单元的顶面边缘设有一圈凸起部,使得第三色阻单元膜厚较厚的区域对应的平坦层膜厚同样较厚,降低第三色阻单元膜厚较厚的区域的穿透率,使得第三色阻单元膜厚较厚的区域与其他区域的穿透率一致,以平衡色度,达到色度均匀化,提高COA型阵列基板的色彩表现。 1.一种COA型阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)；在所述TFT层(20)上形成彩色光阻层(30)；所述彩色光阻层(30)包括多个相邻的色阻单元(31)、第二色阻单元(32)及第三色阻单元(33),所述多个第三色阻单元(33)的顶面向底面凹陷；步骤S2、在所述彩色光阻层(30)上形成平坦层(40)；所述平坦层(40)对应每个第三色阻单元(33)的顶面边缘设有一圈凸起部(41)。
一种晶圆片光刻工艺 本属于晶圆片光刻技术领域,具体说是一种晶圆片光刻工艺,该工艺采用的光刻机用晶圆片匀胶装置包括固定框、基座、水平调节装置、固定支架、旋转装置、真空吸盘、真空发生器、可调节弹簧和感应装置；所述基座位于固定框上部；所述水平调节装置固定在固定框内；所述固定支架安装在基座上方；所述旋转装置安装在固定支架上；所属真空吸盘位于旋转装置上方；所述真空发生器位于真空吸盘右下方,真空发生器与真空吸盘相连通；所述可调节弹簧数量为三,可调节弹簧之间呈120°分布,可调节弹簧位于基座与固定框之间；所述感应装置位于固定框上方；本装置可以有效保证晶圆片水平固定在真空吸盘上,从而保证晶圆片表面涂覆胶的厚度均匀。 1.一种晶圆片光刻工艺,其特征在于,该光刻工艺包括以下步骤：步骤一：将准备好的晶圆片固定在光刻机用晶圆片匀胶装置上进行匀胶处理；步骤二：步骤一中匀胶结束后,取出晶圆片,将涂好胶的晶圆片通过光刻机的对位系统和光刻版套准后,用紫外线对晶圆片进行曝光处理；步骤三：步骤二中曝光结束后,用显影液取出已曝光部分的光刻胶,在晶圆片上形成所需的图形；步骤四：步骤三中显影结束后,将晶圆片通过红外线辐射加热法烘干,以提高光刻胶粘附性和抗腐蚀能力；步骤五：步骤四中晶圆片烘干后,通过干刻蚀法对晶圆片进行刻蚀；步骤六：步骤五中晶圆片刻蚀完成后,通过干法去胶将晶圆片表面的光刻胶除去；其中步骤一所述的光刻机用晶圆片匀胶装置包括固定框(1)、基座(2)、水平调节装置(3)、固定支架(4)、旋转装置(5)、真空吸盘(6)、真空发生器(7)、可调节弹簧(8)和感应装置(9)；所述基座(2)位于固定框(1)上部,基座(2)用于安装固定支架(4)；所述水平调节装置(3)固定在固定框(1)内,水平调节装置(3)用于调节基座(2)的水平；所述固定支架(4)安装在基座(2)上方,固定支架(4)用于安装旋转装置(5)；所述旋转装置(5)安装在固定支架(4)上,旋转装置(5)用于带动真空吸盘(6)旋转；所属真空吸盘(6)位于旋转装置(5)上方,真空吸盘(6)用于固定晶圆；所述真空发生器(7)位于真空吸盘(6)右下方,真空发生器(7)与真空吸盘(6)相连通,真空发生器(7)用于为真空吸盘(6)提供真空条件；所述可调节弹簧(8)数量为三,可调节弹簧(8)之间呈120°分布,可调节弹簧(8)位于基座(2)与固定框(1)之间,可调节弹簧(8)上端与基座(2)底端相连,可调节弹簧(8)下端与固定框(1)顶部相连,可调节弹簧(8)用于固定基座(2),同时可调节弹簧(8)还用于调节基座(2)的水平；所述感应装置(9)位于固定框(1)上方,感应装置(9)包括固定杆(91)和感应器(92),感应装置(9)用于判断基座(2)是否水平；所述固定杆(91)数量为二,固定杆(91)左右对称放置在基座(2)两侧,固定杆(91)用于固定感应器(92)；所述感应器(92)固定在固定杆(91)上,感应器(92)用于判断基座(2)是否水平。
图像传感器及形成图像传感器的方法 本公开涉及一种图像传感器,包括钉扎光电二极管,所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的导电类型的区域和第二导电类型的第二区域,其中,所述区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能提高钉扎光电二极管的电荷容量。 1.一种图像传感器,其特征在于,包括钉扎光电二极管,所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的导电类型的区域和第二导电类型的第二区域,其中,所述区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。
半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬底剥离方法 本公开半导体发光微显示器件,其外延结构由N#GaN、有源层至P#GaN横截面的宽度逐渐增大,透光导电层位于N#GaN表面上,连接电极位于P#GaN表面上,像素电极位于连接电极表面上,导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本还公开半导体发光微显示器件制造方法。本还公开衬底剥离方法。外延结构由N#GaN、有源层至P#GaN横截面的宽度逐渐增大,使得外延结构的N#GaN与衬底的接触面积较小,减小激光剥离阈值,提升激光剥离良率。 1.半导体发光微显示器件,其特征在于：包括多个外延结构,所述外延结构包括依次层叠设置的N#GaN、有源层及P#GaN,所述外延结构由N#GaN、有源层至P#GaN横截面的宽度逐渐增大；透光导电层,所述透光导电层位于所述N#GaN表面上,与所述N#GaN电连接；连接电极,所述连接电极位于所述P#GaN表面上,与所述P#GaN电连接；像素电极,所述像素电极位于所述连接电极表面上,与所述连接电极电连接；导电胶,所述导电胶连接于所述透光导电层与所述像素电极之间。
一种柔性透明电极的制备方法 一种柔性透明电极的制备方法,其步骤为：(1)碳纳米管薄膜的制备,(2)Ag/AZO薄膜的制备,(3)Ag/AZO薄膜涂胶,(4)紫外曝光,(5)去除光刻胶进行显影,(6)刻蚀网格,(7)去网格上的光刻胶。本的碳纳米管上复合Ag/AZO薄膜,降低薄膜的方阻,具有良好的光电性能,提高薄膜的耐弯曲能力,可挠性能好,还能减少环境污染,降低制作成本。 1.一种柔性透明电极的制备方法,其特征在于,制备步骤为：(1)碳纳米管薄膜的制备：采用FCCVD法制备单臂碳纳米管,将单臂碳纳米管处理后配置成悬浮液,通过喷涂法在PET衬底上制成碳纳米管薄膜；(2)Ag/AZO薄膜的制备：采用直流磁控溅射法和射频磁控溅射法在制得的CNT薄膜上面依次镀制Ag薄膜和AZO薄膜；(3)Ag/AZO薄膜涂胶：在镀有CNT/Ag/AZO的衬底PET上使用均胶机旋涂AZ310薄胶,转速3000rad/s、加速度为3000rad/s、旋涂时间为30s；(4)紫外曝光：涂胶后在热板上90℃烘15min,除去胶层内的溶剂后进行紫外曝光,紫外光功率密度为3mw/cm2,曝光时间为34s；(5)去除光刻胶进行显影：使用薄胶显影液AZ300去除为曝光的光刻胶,将掩膜版上的金属网格图案转移至光刻胶涂层上,显影时间为28～32s；(6)刻蚀网格：显影后在烘箱里90℃下烘30min,进行坚膜增加胶膜与衬底的粘附力,然后配置去镉液,去除刻蚀网格间不需要的Ag/AZO薄膜,刻蚀时间为23～27s；(7)去网格上的光刻胶：将刻蚀网格后的样品放入配置好的NaOH溶液中去除网格上覆盖的光刻胶,然后用去离子水洗净样品得到柔性透明电极。
有机发光显示面板、其制备方法和有机发光显示装置 本公开一种有机发光显示面板、其制备方法及装置,包括：柔性基板,柔性基板包含显示区和孔区域,其中,显示区包围孔区域,在显示区和孔区域之间包含非显示区；薄膜晶体管层,设置在所述柔性基板上；发光器件层,设置在所述薄膜晶体管层背离所述柔性基板的一侧,其中,所述发光器件层包含电极、发光层和第二电极；封装层,设置在所述发光器件层背离所述柔性基板的一侧,且,在所述发光器件层背离所述柔性基板的一侧所述封装层依次包含无机封装层、有机封装层,且所述第二电极和所述无机封装层在所述非显示区的边界平齐；无机层,所述无机层覆盖所述第二电极和所述无机封装层在所述非显示区的边界。 1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括：柔性基板,所述柔性基板包含显示区和孔区域,其中,所述显示区包围所述孔区域,在所述显示区和所述孔区域之间包含非显示区；薄膜晶体管层,设置在所述柔性基板上；发光器件层,设置在所述薄膜晶体管层背离所述柔性基板的一侧,其中,所述发光器件层包含电极、发光层和第二电极；封装层,设置在所述发光器件层背离所述柔性基板的一侧,且,在所述发光器件层背离所述柔性基板的一侧所述封装层依次包含无机封装层、有机封装层,且所述第二电极和所述无机封装层在所述非显示区的边界平齐；无机层,所述无机层覆盖所述第二电极和所述无机封装层在所述非显示区的边界。
利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件及其制备方法 本公开了利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件及其制备方法,属于有机发光二极管(OLED)器件的制备技术领域,本以有机单晶材料为白光OLED器件的发光层主体材料,通过在主体材料(发A色光)中同时掺杂分别发B色光和C色光的两种客体分子,可制备出由A、B和C三基色组合而发高质量白光的OLED器件。本在发光层中采用两种不同色光的客体分子对主体有机单晶进行双掺杂,有效拓宽了器件发光的谱宽,显著提升了白光质量；并以单一发光层多掺杂的方式代替以往白光器件中的利用多发光层获得多基色光组合,简化了器件结构和加工工艺。 1.利用有机单晶材料制备三基色组合的白光OLED器件的方法,其特征在于,具体步骤如下：(1)、衬底准备；首先,将衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,所用时间为10#30min,并用氮气吹干并置于培养皿中；然后,用移液枪将疏水修饰剂滴涂在盛放衬底的培养皿底部空白处并加盖封闭,进而将整个培养皿置于真空烘箱中,使得疏水修饰剂挥发并对衬底表面进行超疏水修饰；最后,将完成修饰的衬底再依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,所用时间为10#30min,并用氮气吹干；(2)、双掺杂生长三基色发光层材料；首先,将发光层主体材料与两种客体掺杂材料的粉末混合后置于研钵,并加入有机溶剂,充分研磨待混合物呈油漆状后,置于烘箱内烘干以去除溶剂,得到均匀混合的三基色发光层材料的前驱体粉末；然后,将前驱体粉末收集至石英管内,置于双温区管式炉中,并确保前驱体粉末位于双温区管式炉的高温区；最后,通入载流气体,待其流速稳定后设置双温区各自的温度并开始加温,利用物理气相传输法生长出片状的、悬挂于石英管壁的双掺杂生长三基色发光层材料；(3)、制备基于三基色发光层的OLED器件；器件结构中各层的制备顺序为：修饰层/阳极生长→模板剥离转写→空穴阻挡层/阴极生长；首先,用镊子将步骤(2)的双掺杂生长三基色发光层材料转移至步骤(1)中准备好的衬底上,并在其上方覆盖阳极金属掩膜板,后置于有机蒸发炉中依次生长修饰层和阳极,取出并摘掉金属掩膜板后待用；随后,在器件上表面滴一滴光刻胶,取一片与器件衬底同等大小的玻璃片覆盖在光刻胶上方,使光刻胶在玻璃片重力作用下均匀摊开至覆盖整个器件表面乃至稳定,置于紫外灯下曝光使光刻胶固化并黏附于玻璃片上成为新衬底,用刀片将步骤(1)中的衬底从器件剥离,此时器件结构由下至上依次为玻璃/光刻胶/阳极/修饰层/发光层；最后,将器件再次置于有机蒸发炉中,并再次覆盖金属掩膜板,依次生长空穴阻挡层和阴极,完成整个器件制备。
一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法 本属于薄膜体声波谐振器的技术领域,公开了一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法。所述薄膜体声波谐振器包括衬底,衬底上依次设置有背电极和压电层,衬底的表面设有凹槽,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,压电层设有通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电层上设有顶电极,通孔的另一侧以及通孔中设有背电极材料。背电极引出方法主要是在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,背电极通过通孔引出。本免去了大面积刻蚀压电薄膜,对薄膜损伤较小；通孔引出电极易覆盖；且本可减小器件尺寸,降低功耗和提升性能。 1.一种薄膜体声波谐振器中背电极引出方法,其特征在于：包括以下步骤：在表面设有凹槽的衬底上依次沉积背电极和压电薄膜,背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔,然后在压电薄膜上制备通孔,通孔的下方为背电极,通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料,通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中的背电极材料连续沉积,背电极通过通孔引出,将背电极引至压电薄膜的表面。
一种移相器及显示装置 本实用新型实施例提供的一种移相器及显示装置,包括相对设置的基板和第二基板,位于基板朝向第二基板一侧的电极层,位于第二基板朝向基板一侧的第二电极层,位于电极层朝向第二基板一侧的取向层,位于第二电极层朝向基板一侧的第二取向层,以及位于取向层和第二取向层之间的液晶层；其中,基板和第二基板均为透明基板；电极层和第二电极层均具有透明区域。由于基板和第二基板均采用透明基板,电极层和第二电极层均具有透明区域,因此本实用新型提供的移相器是透明的移相器,可以集成到器件的玻璃基板中,相当于把移相器隐藏在器件的玻璃基板中,既能够减小器件的尺寸,又能增加器件的美观度。 1.一种移相器,其特征在于,包括：相对设置的基板和第二基板,位于所述基板朝向所述第二基板一侧的电极层,位于所述第二基板朝向所述基板一侧的第二电极层,位于所述电极层朝向所述第二基板一侧的取向层,位于所述第二电极层朝向所述基板一侧的第二取向层,以及位于所述取向层和所述第二取向层之间的液晶层；其中,所述基板和所述第二基板均为透明基板；所述电极层和所述第二电极层均具有透明区域；所述电极层的材料为透明导电氧化物,所述第二电极层包括多条线宽小于100μm的金属电极线；或所述电极层的材料为透明导电氧化物,所述第二电极层包括网格状金属电极；或所述电极层包括多条线宽小于100μm的金属电极线,所述第二电极层包括网格状金属电极；或所述电极层和所述第二电极层包括多条线宽小于100μm的金属电极线。
一种IGBT器件 本实用新型揭示了一种IGBT器件,半导体基板中心区设有元胞区,半导体基板的主面设有包围环绕元胞区的终端保护区,半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区,第二导电类型集电极区的上方设有导电类型场终止层,元胞区内的元胞设有沟槽结构,元胞沟槽由主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的导电类型外延层内,元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅,栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度,降低了饱和电流,从而提高了Tsc,增加了短路电流安全工作区,此外,本实用新型沟槽下方采用超结结构,可以降低漂移区电阻率,从而降低Vce。同时在器件关断时,因超结结构可以加速载流子抽取速度,从而降低Eoff。 1.一种IGBT器件,在所述IGBT器件的发射极的俯视平面上,包括位于半导体基板的元胞区和终端保护区,所述终端保护区位于元胞区的外圈,且终端保护区环绕包围元胞区,所述元胞区内包括若干规则排布且相互平行并联设置的元胞,在所述IGBT器件的截面上,半导体基板具有相对应的主面与第二主面,所述第二主面上方设有一层第二导电类型集电极区,所述第二导电类型集电极区上方设有导电类型场终止层,其特征在于：所述元胞区内的元胞设有沟槽结构,导电类型外延层内的上部设有第二导电类型阱层,元胞沟槽由主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的导电类型外延层内,所述元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅,所述栅极导电多晶硅覆盖至元胞沟槽槽口附近的主面上方,形成T型槽栅导电多晶硅,所述T型槽栅导电多晶硅与主面以及元胞沟槽内壁之间均设有绝缘栅氧化层。
一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法,该半导体激光器芯片包括外延片,外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层,外延片中心位置设置有脊型光腔,脊型光腔的两侧设置有隔离槽,隔离槽外侧设置有肩区,外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层；其制备步骤包括：(1)形成外延片；(2)一次光刻；(3)蒸镀高反射率光学膜；(4)二次光刻；(5)三次光刻；(6)制备P电极层；(7)衬底减薄；(8)制备N电极层；(9)巴条解离和镀膜；(10)形成单个激光器芯片。本实现了对光腔的光限制,使激光器芯片的阈值电流降低,光电转换效率提升,明显改善了输出光形,消除了杂散光,提升了芯片可靠性。 1.一种全反射光波导半导体激光器芯片,包括外延片,外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层,其特征是,外延片中心位置设置有脊型光腔,脊型光腔深至上包层内,脊型光腔的两侧设置有隔离槽,隔离槽的外侧设置有肩区,外延片的上表面设置有高反射率光学膜层,高反射率光学膜层上设置有P电极层。
金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法 本提出了一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法,首先在基板上涂负光刻胶,进行前烘,进行曝光,显影,并进行烘烤成坚硬胶膜；在图形化的负光刻胶胶膜上溅射导电金属,得到金属种子层；在种子层上涂覆正性光刻胶,经过前烘、曝光、显影后,将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上,即形成掩蔽层；对种子层进行腐蚀,得到辅助结构图形的种子层；在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶,经过前烘,曝光,后烘,显影,得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；微电铸金属；去除光刻胶及辅助结构电铸层,得到微器件；本方法提高复杂结构微器件的铸层均匀性。 1.一种金属微器件LIGA成型过程中提高电铸层均匀性的方法,其特征在于,包括以下步骤：步骤S1、在基板上涂覆负光刻胶,制作牺牲层：在基板上涂负光刻胶,进行前烘,在基板上覆盖具有微器件图形的掩膜板进行曝光,显影,将微器件的图形转移到负光刻胶胶膜上,并进行烘烤成坚硬胶膜；步骤S2、制作种子层：在图形化的负光刻胶胶膜上溅射导电金属,得到导电金属种子层；步骤S3、制作掩蔽层：在导电种子层上涂覆正性光刻胶,经过前烘、在基板上覆盖具有辅助结构图形的掩膜板进行曝光、显影后,将辅助结构的图形转移到正性光刻胶胶膜上,即形成掩蔽层；步骤S4、对种子层进行腐蚀：对图形化的掩蔽层进行腐蚀,去除掩蔽层以外的导电金属种子层,然后去除正性光刻胶,得到辅助结构图形的种子层；步骤S5、制作具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜：在具有微器件图形的金属基板和具有辅助结构图形的种子层上涂覆第二负光刻胶,经过前烘,在基板上覆盖具有微器件结构图形和辅助结构图形的掩膜板进行曝光,后烘,显影,得到具有微器件和辅助结构图形的第二负光刻胶胶膜；步骤S6、微电铸金属：将制作好的胶膜放入电铸液中进行微器件的电铸；步骤S7、去除光刻胶及辅助结构电铸层,得到微器件。
一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法 本涉及一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法,属于半导体光电探测器制造技术领域。本中的刻蚀液每100mL刻蚀液由10～30mol的H2O2、50～100g的C6H8O7、1～5mol的HF配制而成。本利用双氧水作为氧化剂,柠檬酸作为缓蚀剂,氢氟酸作为酸性剂,刻蚀速度适宜,利于工程化应用。刻蚀后芯片表面比较光滑,平整,比较利于后序工艺的制备。用这种刻蚀液制作的台面,钻蚀比较小,提高了有效占空比,适于大阵列小面元的制作。本的刻蚀方法简单,所需设备少,更进一步,通过实时测量刻蚀深度极大提高了刻蚀精度,有利于提高元器件的工作性能。 1.一种用于InAlSb芯片的刻蚀液,其特征在于,所述每100mL刻蚀液由10～30mol的H2O2、50～100g的C6H8O7、1～5mol的HF配制而成。
一种检测循环肿瘤细胞的太赫兹超材料器件及其制备方法 本提供了一种检测循环肿瘤细胞的太赫兹超材料器件及其制备方法,器件以立体太赫兹超材料为主要特征,辅以液体导流区,仅需将少量的血液样本从盖片的入口孔导入,即可利用结构特征过滤掉其中尺寸较小的血液细胞,并将尺寸较大的癌细胞固定在超材料谐振结构的敏感位置,即卡位上。通过比较通入样品前后的光谱变化,即可检测到本样品中的癌细胞。此外,该器件能够实现对癌细胞的单个分离,可用于后续对单个癌细胞的生物研究,继续从光谱中分析获知单个癌细胞在受到外界条件刺激后的性状变化。与现有技术相比,本方案传感灵敏度高,用作定点捕获或者监测较大细胞具有显著成效。 1.一种检测循环肿瘤细胞的太赫兹超材料器件,其特征在于,包括底片(1)和盖片(2),所述盖片(2)两端分别设有入口孔(2#1)和出口孔(2#2),在底片(1)的上表面分为四个区域,其中外围为封装区(1#4),#用于与盖片(2)使用粘合胶封装,内部为微通道,从左至右依次为入口导流区(1#1)、捕捉区(1#2)和出口导流区(1#3),该三个区域依次相连,且均由立体微米结构构成,其微米结构上表面与封装区(1#4)的上表面齐平,微通道底部与封装区的上表面纵向距离为1~31μm,所述入口导流区(1#1)与出口导流区(1#3)均为形状、大小相同的三角形结构,且从顶角至底角分布若干形状相同的微米结构,且每行微米结构等距离排列,相邻两行微米结构交错分布；所述捕捉区(1#2)设置在入口导流区(1#1)和出口导流区(1#3)之间,捕捉区(1#2)为立体太赫兹超材料设计,每个单元结构由一个或多个开口谐振环构成,每个单元结构中设一个卡位,且卡位指向入口导流区,所述单元结构按蜂窝结构规律周期性排布形成阵列,每一行单元结构彼此相接重复排列,且相邻两行的单元结构交错分布；捕捉区(1#2)为正方形,捕捉区(1#2)相对的两个边分别与入口导流区(1#1)和出口导流区(1#3)的底边重合；所述入口导流区(1#1)的顶角与入口孔(2#1)相对,所述出口导流区(1#3)的顶角与出口孔(2#2)相对,入口孔(2#1)和出口孔(2#2)的直径为0.5~1mm。
掩膜板及其制作方法 本涉及一种掩膜板及其制作方法。上述掩膜板的制作方法包括以下步骤：提供基板,在基板上形成层光刻胶,对层光刻胶进行曝光,得到曝光后的层光刻胶；在曝光后的层光刻胶上形成第二层光刻胶,对第二层光刻胶进行曝光,得到曝光后的第二层光刻胶；之后依次对曝光后的第二层光刻胶、曝光后的层光刻胶进行显影,以分别在曝光后的第二层光刻胶、与曝光后的层光刻胶上形成第二开口与开口,得到芯模；芯模中,第二开口在基板上的投影覆盖开口在基板上的投影,且第二开口在基板上的投影面积大于开口在基板上的投影面积；以及在开口以及第二开口中沉积掩膜材料,之后去除芯模,得到掩膜板。 1.一种掩膜板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤：提供基板,在所述基板上形成层光刻胶,对所述层光刻胶进行曝光,得到曝光后的层光刻胶；在所述曝光后的层光刻胶上形成第二层光刻胶,对所述第二层光刻胶进行曝光,得到曝光后的第二层光刻胶；之后依次对所述曝光后的第二层光刻胶、所述曝光后的层光刻胶进行显影,以分别在所述曝光后的第二层光刻胶、与所述曝光后的层光刻胶上形成第二开口与开口,得到芯模；所述芯模中,所述第二开口在所述基板上的投影覆盖所述开口在所述基板上的投影,且所述第二开口在所述基板上的投影面积大于所述开口在所述基板上的投影面积；以及在所述开口以及所述第二开口中沉积掩膜材料,之后去除芯模,得到掩膜板。
电子束光刻胶组合物及制备方法 本提供了一种电子束光刻胶组合物,其主要成分包括卤代丙烯酸酯共聚物和光致产酸剂,所述卤代丙烯酸酯共聚物为卤代丙烯酸酯单体单元和芳香族丙烯酸酯或芳香族烯类单体单元的共聚物。通过引入侧链取代的卤族原子及刚性的芳香环,并选取了合适的单体单元的组合,本组合物中的共聚物具有较高的灵敏度和抗蚀性能。此外,本组合物中还具有光致产酸剂,能够加速组合物中的共聚物的裂解,有效提高了曝光效率,进一步提高了光刻胶的灵敏度。 1.一种电子束光刻胶组合物,其特征在于,所述电子束光刻胶组合物的主要成分包括卤代丙烯酸酯共聚物和光致产酸剂,所述卤代丙烯酸酯共聚物为卤代丙烯酸酯单体单元和芳香族丙烯酸酯或芳香族烯类单体单元的共聚物。
硬掩模用组合物 本提供一种硬掩模用组合物,其包含芘系连接化合物与含有羟基的芳香族化合物的聚合物、及溶剂。由硬掩模用组合物能够形成耐蚀刻性、溶解性和平坦性同时提高了的硬掩模。 1.一种硬掩模用组合物,其包含含有下述化学式1所表示的重复单元结构的聚合物、及溶剂：化学式1化学式1中,Ar为含有羟基(#OH)的亚芳基,n为1～200的整数。
光刻曝光设备及光刻曝光方法 本涉及一种光刻曝光设备,涉及集成电路制造技术,该光刻曝光设备包括光源、掩模版及晶圆,所述掩模版位于所述光源与所述晶圆之间,所述光源用于发出光束照射所述掩模版,其中,所述光源发出至少两种带宽的光束；以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化,进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。 1.一种光刻曝光设备,其特征在于,包括：一光源、一掩模版及一晶圆,所述掩模版位于所述光源与所述晶圆之间,所述光源用于发出光束照射所述掩模版,其中,所述光源发出至少两种带宽的光束。
一种数字光刻投影装置 本实用新型公开了一种数字光刻投影装置,包括底盘、可调光圈和微操作平台,所述底盘的上侧焊接有支架,且支架的上部通过螺丝连接有投影仪,投影仪的内部设置有透镜架,透镜架的内部安装有可调光圈,底盘的上侧安装有微操作平台,微操作平台的一侧设置有金相显微镜,金相显微镜的一侧设置有显示处理设备,本装置结构较简单,成本低廉,不需要复杂的精密镜头组,减少了设备的故障,可以在数小时内完成全部微流体芯片的设计和制备,提高了加工效率,节约了成本,加工过程中不需要超净间、光刻机这样昂贵的工作环境和专用设备,在普通实验室利用此简易数字光刻投影装置即可完成光刻投影,降低了加工难度。 1.一种数字光刻投影装置,包括底盘(1)、可调光圈(5)和微操作平台(8),其特征在于,所述底盘(1)的上侧焊接有支架(2),且支架(2)的上部通过螺丝连接有投影仪(3),投影仪(3)的内部设置有透镜架(4),透镜架(4)的内部安装有可调光圈(5),底盘(1)的上侧安装有微操作平台(8),微操作平台(8)的一侧设置有金相显微镜(6),金相显微镜(6)的一侧设置有显示处理设备(7)。
一种大面积的三维复合纳米结构及其制备方法 本公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法,包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积金属层；3、将负性光刻胶均匀的旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光,并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比,拥有更大的比表面积,同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点,可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好,并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。 1.一种大面积的三维复合纳米结构的制备方法,其特征在于包括以下步骤：(1)提供衬底；(2)于所述衬底上进行次金属沉积,形成金属层；(3)于所述金属层表面形成光刻胶层；(4)通过全息光刻工艺,对所述光刻胶层曝光、显影、定影后形成均匀有序的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列的周期为0.25#1μm；(5)以所述纳米柱阵列为掩膜,采用电子束真空沉积的方法进行各向异性的第二次金属沉积,且第二次沉积的金属层厚度小于所述光刻胶层的厚度,从而制得所述三维复合纳米结构。
一种大面积的纳米透镜型阵列及其制备方法 本公开了一种大面积、均匀的纳米透镜型阵列及其制备方法,包括：1、提供衬底,并对衬底进行清洁、活化；2、在衬底上旋涂负性光刻胶；3、采用可调全息光刻技术,以266nm波长的深紫外激光为光源,通过全息光学元件对负性光刻胶进行图案化曝光；4、经过显影和定影,得到光刻胶纳米透镜型阵列；5、采用各向异性金属沉积的方法对光刻胶模板进行金属化,得到金属的纳米透镜型阵列。光刻可以在几分钟之内大面积的完成,金属沉积也可以大批量的进行,因此突破了现有技术在批量加工方面的限制,制备的结构均匀,可以实现纳米级的精度以及大面积的制备,适用性强,有利于进一步推广本在不同技术领域的应用。 1.一种大面积的纳米透镜型阵列的制备方法,其特征在于包括以下步骤：(1)提供衬底,并对衬底进行清洁、活化；(2)在衬底上旋涂负性光刻胶形成光刻胶层；(3)采用可调紫外全息光刻技术对光刻胶层进行图案化曝光,所述可调紫外全息光刻技术的激光波长为深紫外的266nm,采用全息光学元件；(4)经过显影和定影,再使用氮气吹扫去除表面水分,得到光刻胶纳米透镜型阵列,所述光刻胶纳米透镜型阵列的周期为130nm#1μm；(5)以所得光刻胶纳米透镜型阵列为模板,采用各向异性金属沉积的方法对光刻胶模板进行金属化,得到金属纳米透镜型阵列。
一种双稳态电润湿结构及其制备工艺 本公开了一种双稳态电润湿结构,包括位于下方的衬底层和位于上方的封装层,所述衬底层上设有透光绝缘材料制成的像素图形块的阵列,其特征在于：在所述衬底层和封装层之间还依次设有电极层、疏水层、墨水层和水层,所述封装层的下表面设有导电层,疏水层全面覆盖电极层,电极层连续覆盖所有像素图形块。本电湿润结构可采用全光刻工艺制备,易于大规模加工,由于特殊的结构设计降低了电极与水层的距离,不仅大幅的降低双稳态电润湿的工作电压,同时有利于提高双稳态电润湿显示的对比度和可靠性,以及可实现透射式和反射式两种双稳态电润湿显示。 1.一种双稳态电润湿结构,包括位于下方的衬底层(6)和位于上方的封装层(1),所述衬底层(6)上制备有像素图形块(7)的阵列,其特征在于：在所述衬底层(6)和封装层(1)之间还依次设有电极层(5)、疏水层(4)、墨水层(9)和水层(3),所述封装层(1)的下表面设有导电层(2),疏水层(4)全面覆盖电极层(5),所述电极层(5)连续覆盖所有像素图形块(7),覆盖电极层(5)和疏水层(4)的像素图形块(7)之间留有容纳墨水的沟道,覆盖像素图形块(7)的电极层部分为像素电极(5#1),覆盖相邻像素图形块(7)之间间隙的电极层部分为沟道电极(5#2),所述像素图形块(7)采用透光绝缘材料。
光准直器及其制造方法 本提供一种光准直器及其制造方法。光准直器包括透光基板以及多个吸光图案。透光基板相对的两个表面分别具有间隔排列的多个凹陷,其中两个表面的凹陷相互对齐。吸光图案设置在凹陷中。本的光准直器及其制造方法可使透光基板相对的两个表面的吸光图案相互对齐、降低界面反射并改善刮伤的问题。 1.一种光准直器,其特征在于,包括：透光基板,所述透光基板相对的两个表面分别具有间隔排列的多个凹陷,其中所述两个表面的所述多个凹陷相互对齐；以及多个吸光图案,设置在所述多个凹陷中。
自适应雷达比相法悬臂梁微机电微波检测和解调单片系统 本的自适应雷达比相法悬臂梁微机电微波检测和解调单片系统,主要由六端口悬臂梁耦合器,微波频率检测模块,微波相位检测模块以及微波功率检测和解调模块组成,本的自适应雷达由天线、收发转换电路、MEMS微波检测和解调单片集成系统、信号存储器、信号分析器、微波信号重构、微波信号调制器和微波信号功率放大器。以上结构能够完成对微波信号的功率、频率、相位三种检测模块的集成以及对同一时刻的微波信号的功率、频率和相位同时同步检测以及对已调制信号的解调,实现了自适应雷达比相法悬臂梁微机电微波检测和解调单片系统。 1.一种自适应雷达比相法悬臂梁微机电微波检测和解调单片系统,其特征在于该单片系统包括六端口悬臂梁耦合器(1),微波频率检测模块(2),微波功率检测和解调模块(3),微波相位检测模块(4)；其中六端口悬臂梁耦合器(1)的端口(1#1)到第三端口(1#3)和第五端口(1#5)的耦合度相同,到第四端口(1#4)、第六端口(1#6)的功率耦合度也相同；待测信号经端口(1#1)输入,由第二端口(1#2)输出到间接加热式微波功率检测器(5#1),进行微波功率检测；以及应用间接加热式微波功率检测器(5#1)的非线性特性和低通滤波特性对已调制信号进行解调；第三端口(1#3)和第四端口(1#4)分别输出到微波频率检测模块(2)的第三Wilkinson功率合成器(6#3)的两个输入端口,第三Wilkinson功率合成器(6#3)的输出端连接第二间接加热式微波功率传感器(5#2),进行微波频率检测；由第五端口(1#5)和第六端口(1#6)分别输出到微波相位检测模块(4)的Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的一端,并由Wilkinson功率分配器(7)的两个输出端分别连接到Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的另一端,而Wilkinson功率合成器(6#1)和第二Wilkinson功率合成器(6#2)的输出端连接到第三间接加热式微波功率检测器(5#3)和第四间接加热式微波功率检测器(5#4),进行微波相位检测；对微波信号的功率、频率、相位三种检测模块进行了集成,完成了对同一时刻的微波信号的功率、频率和相位同时同步检测,以满足自适应雷达实时匹配通讯的要求；Si衬底(8),SiO2层(12),共面波导(13),终端电阻(18),P型半导体臂(20),N型半导体臂(19),输出电极(21)构成间接加热式微波功传感器；微波功率通过CPW即共面波导(13)输入到终端电阻(18)转换为热能；热电偶由P型半导体臂(20)和N型半导体臂(19)组成；根据Seebeck效应,通过测量输出电极(21)的热电势可知输入微波功率大小。
触控面板、触控显示屏幕及触控显示设备 本涉及一种触控面板、触控显示屏幕及触控显示设备,触控面板,包括规则触控电极、异形触控电极及衬底；规则触控电极包括设置于衬底的规则触控电极膜层；异形触控电极包括设置于衬底的异形触控电极膜层及支撑结构,支撑结构用于支撑异形触控电极膜层以使得异形触控电极膜层形成与衬底具有高度差的膜层面,并且异形触控电极膜层的表面面积与规则触控电极膜层的表面面积相等。通过在异形触控电极设置支撑结构,使得异形触控电极膜层形成与衬底具有高度差的膜层面,从而使得异形触控电极膜层面积与规则触控电极膜层面积相等,进而防止电极的触控性能发生突变,保证触控面板的触控性能的均一性。 1.一种触控面板,其特征在于,包括规则触控电极、异形触控电极及衬底；所述规则触控电极包括设置于所述衬底的规则触控电极膜层；所述异形触控电极包括设置于所述衬底的异形触控电极膜层及支撑结构,所述支撑结构用于支撑所述异形触控电极膜层以使得所述异形触控电极膜层形成与所述衬底具有高度差的膜层面,并且所述异形触控电极膜层的表面面积与所述规则触控电极膜层的表面面积相等。
半导体装置的制造方法 本提供防止将光致抗蚀剂膜用作掩模时的抗蚀剂图案端部的形状垮塌而减少设计余量的半导体装置的制造方法。包括：工序,在半导体晶片(10)的主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜(31)；第二工序,在光致抗蚀剂膜(31)转印形成开口部的掩模图案(32a)；第三工序,在光致抗蚀剂膜转印形成位置与开口部的位置不同的第二开口部的第二掩模图案(32b)；第四工序,基于掩模图案(32a)以及第二掩模图案选择性地除去光致抗蚀剂膜(31),形成具有光致抗蚀剂膜的开口部以及第二开口部的抗蚀剂掩模；第五工序,将抗蚀剂掩模(31)作为掩模,以离子注入的方式将杂质注入半导体晶片(10)。 1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括：工序,在半导体晶片的主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜；第二工序,在所述光致抗蚀剂膜转印掩模图案,所述掩模图案形成开口部；第三工序,在所述光致抗蚀剂膜转印第二掩模图案,所述第二掩模图案形成多个位置与所述开口部的位置不同的第二开口部；第四工序,基于所述掩模图案以及所述第二掩模图案选择性地除去所述光致抗蚀剂膜,形成具有所述光致抗蚀剂膜的所述开口部以及所述第二开口部的抗蚀剂掩模；以及第五工序,将所述抗蚀剂掩模作为掩模,以离子注入的方式将杂质注入所述半导体晶片。
一种半导体器件的制造方法 本提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括：提供半导体衬底,所述半导体衬底包括MOS器件区,在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层中形成接触孔开口,其中,所述接触孔开口分别露出所述MOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面；在从所述接触孔开口中露出的所述源区和所述漏区的区域表面形成保护层；对露出的所述源区和所述漏区的区域进行预非晶化离子注入；去除所述保护层。本的制造方法,使预非晶化离子注入的深度更加均一,质量更好,有利于改善后续金属硅化物的均匀性,进而降低接触电阻,提高器件的性能。 1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括：提供半导体衬底,所述半导体衬底包括MOS器件区,在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层中形成接触孔开口,其中,所述接触孔开口分别露出所述MOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面；在从所述接触孔开口中露出的所述源区和所述漏区的区域表面形成保护层；对露出的所述源区和所述漏区的区域进行预非晶化离子注入；去除所述保护层。
锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管及其制造方法 本涉及柔性器件领域,为制备一种基于柔性PEN衬底的多沟道结构的锗纳米膜晶体管,能够极大丰富电路元器件的用处,降低生产成本,为此,本锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管及其制造方法,PEN塑料衬底之上依次为氧化铟锡ITO薄膜、氧化锌栅介质层,氧化铟锡ITO薄膜上设置有N型源掺杂区从而形成两个ITO源电极,两个ITO源电极之间依次为未参杂区、N型漏掺杂区形成的ITO漏电极,在所述未参杂区上方是ITO沉积在氧化锌栅介质层形成的顶栅电极,氧化铟锡ITO薄膜经通孔引出有ITO底栅电极。本主要应用于柔性器件的设计制造。 1.一种锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管的制造方法,其特征是,采用磁控溅射工艺在PEN衬底上镀上ITO以及氧化锌栅介质膜,随后采用光刻形成图案以及离子注入的方式形成掺杂区,采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层,采用湿法HF刻蚀的方式形成锗纳米膜层,通过转移在PEN衬底上形成锗纳米膜,最后通过光刻以及磁控溅射的方式分别形成顶部氧化锌栅极介质层与源漏栅极透明电极层,完成晶体管的制备。
晶圆键合方法以及晶圆键合结构 本提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构,所述晶圆键合方法包括：提供晶圆,所述晶圆具有晶圆面；在部分所述晶圆面上形成金属层；在所述晶圆面上形成环形挡墙结构,所述环形挡墙结构包括相互分立的环形挡墙和第二环形挡墙；提供第二晶圆,所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构,所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙；将所述金属层与所述第二金属层相互键合。本形成的晶圆键合结构的晶圆键合效果得到提高。 1.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括：提供晶圆,所述晶圆具有晶圆面；在部分所述晶圆面上形成金属层；在所述晶圆面上形成环形挡墙结构,所述环形挡墙结构包括相互分立的环形挡墙和第二环形挡墙,其中,所述第二环形挡墙位于所述环形挡墙包围的晶圆面上,且所述金属层位于所述环形挡墙与所述第二环形挡墙之间的晶圆面上；提供第二晶圆,所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构,所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙,其中,所述第四环形挡墙位于所述第三环形挡墙包围的第二晶圆面上,且所述第二金属层位于所述第三环形挡墙与所述第四环形挡墙之间的第二晶圆面上；将所述金属层与所述第二金属层相互键合。
半导体封装结构的制作方法 本提供一种半导体封装结构的制作方法,其包括以下步骤。首先,在晶圆的主动面上形成光致抗蚀剂层,且晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区。接着,通过微影制程移除部分光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层,且这些第二光致抗蚀剂层分别位于这些芯片区内。接着,沿这些预定切割线切割晶圆以得到多个芯片,且各个第二光致抗蚀剂层局部覆盖对应的芯片的第二主动面。接着,形成封装胶体以包覆任一个芯片,并使第二光致抗蚀剂层暴露在外。之后,通过微影制程移除第二光致抗蚀剂层,以暴露出芯片的第二主动面的局部。 1.一种半导体封装结构的制作方法,其特征在于,包括：在晶圆的主动面上形成光致抗蚀剂层,且所述晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区；通过微影制程移除部分所述光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层,且所述多个第二光致抗蚀剂层分别位于所述多个芯片区内；沿所述多个预定切割线切割所述晶圆以得到多个芯片,且所述多个第二光致抗蚀剂层的每一个局部覆盖对应的所述芯片的第二主动面；形成封装胶体以包覆所述多个芯片的任一个,并使局部覆盖所述芯片的所述第二主动面的所述第二光致抗蚀剂层暴露于外；以及通过微影制程移除所述第二光致抗蚀剂层,以暴露出所述芯片的所述第二主动面的局部。
一种贴片式高压硅堆及其生产工艺 本公开了一种贴片式高压硅堆及其生产工艺,包括高压硅堆本体和保护机构,所述钨电极设置有两个,所述电极引线焊接在钨电极的一侧,所述管芯由多个芯片串联而成,所述钨电极焊接在管芯的对应两端,所述管芯的外侧套接有保护罩,所述钨电极位于保护罩对应两侧对应两端中心处位置处,所述保护罩的对应两侧位于钨电极对应两端位置处均粘接有插杆,所述保护机构由右固定板、左固定板、正方形固定块、缓冲杆、拉杆、连接杆、正方形固定槽、滑槽、通孔、复位弹簧、卡块、插槽、引线槽、缓冲板、第二通孔、第二复位弹簧和海绵垫组成,该高压硅堆,有利于对电极引线引线进行保护,防止运输时损坏。 1.一种贴片式高压硅堆,包括高压硅堆本体(1)和保护机构(2),其特征在于：所述高压硅堆本体(1)由插杆(5)、电极引线(6)、保护罩(7)、钨电极(8)和管芯(9)组成,所述钨电极(8)设置有两个,所述电极引线(6)焊接在钨电极(8)的一侧,所述管芯(9)由多个芯片(10)串联而成,所述钨电极(8)焊接在管芯(9)的对应两端,所述管芯(9)的外侧套接有保护罩(7),所述钨电极(8)位于保护罩(7)对应两侧对应两端中心处位置处,所述保护罩(7)的对应两侧位于钨电极(8)对应两端位置处均粘接有插杆(5),所述保护罩(7)的外侧设置有保护机构(2),所述保护机构(2)由右固定板(3)、左固定板(4)、正方形固定块(11)、缓冲杆(12)、拉杆(13)、连接杆(14)、正方形固定槽(15)、滑槽(16)、通孔(17)、复位弹簧(18)、卡块(19)、插槽(20)、引线槽(21)、缓冲板(22)、第二通孔(23)、第二复位弹簧(24)和海绵垫(25)组成,所述右固定板(3)和左固定板(4)分别设置在高压硅堆本体(1)的对应两侧,所述右固定板(3)和左固定板(4)的一侧中心处均开设有引线槽(21),所述引线槽(21)的一侧贴合有海绵垫(25),所述右固定板(3)和左固定板(4)的一侧位于引线槽(21)对应两侧位置处均开设有插槽(20),所述插槽(20)的内侧开设有第二通孔(23),且第二通孔(23)的一端与外部空气联通,所述插槽(20)的对应两侧通过缓冲板(22)连接,所述缓冲板(22)的一侧中心处通过强力胶粘接有缓冲杆(12),所述缓冲板(22)的一侧粘接有第二复位弹簧(24),且第二复位弹簧(24)套接在缓冲杆(12)的外侧,所述第二复位弹簧(24)的另一端与插槽(20)内侧接触,所述正方形固定槽(15)开设有两个,所述正方形固定槽(15)位于左固定板(4)上插槽(20)的一侧,所述正方形固定槽(15)的一侧开设有滑槽(16),所述滑槽(16)的一侧开设有通孔(17),且通孔(17)穿过左固定板(4)一侧与空气联通,所述拉杆(13)的一端穿过通孔(17)和滑槽(16)内部与卡块(19)连接,所述卡块(19)的一侧粘接有复位弹簧(18),且复位弹簧(18)套接在拉杆(13)的外侧,所述连接杆(14)设置有两个,所述连接杆(14)粘接在右固定板(3)上插槽(20)的一侧,所述连接杆(14)的一端粘接有正方形固定块(11),所述右固定板(3)通过正方形固定块(11)、连接杆(14)和正方形固定槽(15)与左固定板(4)连接,所述插杆(5)与插槽(20)配合使用,所述电极引线(6)与引线槽(21)配合使用。
半导体结构及其制作方法 本公开一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构的制作方法包含提供一基底,在基底上形成焊垫金属以及熔丝金属,然后形成衬层以及蚀刻停止层至少覆盖熔丝金属的顶面,在基底上形成介电层与钝化层,再于钝化层中定义出焊垫开口和熔丝开口,进行蚀刻步骤自焊垫开口以及熔丝开口移除暴露的介电层直到焊垫金属的顶面以及蚀刻停止层的表面分别自焊垫开口以及熔丝开口暴露出来,再进行第二蚀刻步骤,自熔丝开口移除暴露的蚀刻停止层直到暴露出衬层的一表面。 1.一种半导体结构的制作方法,包含：提供一基底；在该基底上形成一焊垫金属以及一熔丝金属；形成一衬层以及一蚀刻停止层,至少覆盖该熔丝金属的一顶面；形成一介电层；在该介电层上形成一钝化层；在该钝化层中定义出一焊垫开口以及一熔丝开口,其中该焊垫开口位于该焊垫金属正上方,该熔丝开口位于该熔丝金属正上方；进行一蚀刻步骤,自该焊垫开口以及该熔丝开口移除该介电层,直到该焊垫金属以及该蚀刻停止层分别自该焊垫开口以及该熔丝开口暴露出来；以及进行一第二蚀刻步骤,自该熔丝开口移除暴露的该蚀刻停止层直到暴露出该衬层。
半导体结构及其形成方法 一种半导体结构及其形成方法,方法包括：提供衬底,衬底包括器件区和标记区；在衬底上形成停止层；在停止层上形成阻挡层；在阻挡层上形成刻蚀层；在器件区刻蚀层中形成开口,并在标记区刻蚀层中形成标记开口；在器件区刻蚀层中形成第二开口,并在标记区形成第二标记开口；在刻蚀层上形成第二刻蚀层；在第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以光刻胶为掩膜对第二刻蚀层进行第三刻蚀,在器件区第二刻蚀层中形成第三开口,并在标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口,标记开口、第二标记开口和第三标记开口在衬底表面上的投影图形无公共交集。该形成方法能够提高套刻精度。 1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括：提供衬底,所述衬底包括器件区和标记区；在所述器件区和标记区衬底上形成停止层；在所述器件区和标记区停止层上形成阻挡层；在所述器件区和标记区阻挡层上形成刻蚀层；对所述器件区和标记区刻蚀层进行刻蚀,在所述器件区刻蚀层中形成开口,并在所述标记区刻蚀层中形成标记开口,所述标记开口在所述衬底表面的投影图形为投影图形；对所述器件区和标记区刻蚀层进行第二刻蚀,在所述器件区刻蚀层中形成第二开口,并在所述标记区的阻挡层和刻蚀层中的一者或两者中形成第二标记开口,所述第二标记开口在所述衬底表面的投影图形为第二投影图形；在所述器件区和标记区刻蚀层上、开口中、第二开口中、标记开口中和第二标记开口中形成第二刻蚀层；在所述第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述第二刻蚀层进行第三刻蚀,在所述器件区第二刻蚀层中形成第三开口,并在所述标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口,所述第三标记开口在所述衬底表面的投影图形为第三投影图形,所述投影图形、第二投影图形和第三投影图形无公共交集。
半导体封装件及其形成方法 实施例是封装件,包括封装结构。封装结构包括：具有有源侧和背侧的集成电路管芯,有源侧包括管芯连接件,邻近集成电路管芯的通孔,横向密封集成电路管芯和通孔的密封剂,位于集成电路管芯的管芯连接件和通孔上并且电连接至集成电路管芯的管芯连接件和通孔的再分布结构,和位于集成电路管芯的背侧上的热元件。该封装件还包括：通过组导电连接件接合至通孔和热元件的第二封装结构。本的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。 1.一种封装件,包括：封装结构,包括：集成电路管芯,具有有源侧和背侧,所述有源侧包括管芯连接件；通孔,邻近所述集成电路管芯；密封剂,横向密封所述集成电路管芯和所述通孔；再分布结构,位于所述集成电路管芯的所述管芯连接件和所述通孔上并且电连接至所述集成电路管芯的所述管芯连接件和所述通孔；和热元件,位于所述集成电路管芯的背侧上；以及第二封装结构,通过组导电连接件接合至所述通孔和所述热元件。
图像传感器及其形成方法、工作方法 本提供一种图像传感器及其形成方法、工作方法,其中,所述图像传感器包括：衬底,所述衬底包括相对的面和第二面,所述衬底包括感光区和连接区,所述感光区衬底中具有感光元件；位于所述感光区衬底面上的缓冲层；位于所述缓冲层上的金属网格,所述金属网格包括多条交错连接的金属线,所述金属线围成凹槽,所述金属网格用于连接工作电位；位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。其中,所述金属网格用于接工作电位,则所述金属网格能够在所述衬底中感生出电荷,所述金属网格在所述衬底中感生出的电荷能够阻挡所述感光元件产生的电荷与衬底中的缺陷复合,从而能够减小暗电流,改善所形成图像传感器的性能。 1.一种图像传感器,其特征在于,包括：衬底,所述衬底包括相对的面和第二面,所述衬底包括感光区和连接区,所述感光区衬底中具有感光元件；位于所述感光区衬底面上的缓冲层；位于所述缓冲层上的金属网格,所述金属网格包括多条交错连接的金属线,所述金属线围成凹槽,所述金属网格用于连接工作电位；位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器。
像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置 本提供了一种像素限定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置。像素界定结构包括：包围子像素区的子像素界定结构,子像素区用于形成具有颜色的子像素,子像素界定结构包括位于子像素区的底部一侧的亲液性部分和位于与子像素区的底部相对一侧的疏液性部分；包围第二子像素区的第二子像素界定结构,第二子像素区用于形成具有第二颜色的第二子像素,第二子像素界定结构包括位于第二子像素区的底部一侧的亲液性部分和位于与第二子像素区的底部相对一侧的疏液性部分。其中,第二颜色不同于颜色,子像素界定结构的亲液性部分与第二子像素界定结构的亲液性部分具有不同的厚度。 1.一种像素界定结构,用于界定多个子像素,所述像素界定结构包括：包围子像素区的子像素界定结构,所述子像素区用于形成具有颜色的子像素,所述子像素界定结构包括位于所述子像素区的底部一侧的亲液性部分和位于与所述子像素区的底部相对一侧的疏液性部分；包围第二子像素区的第二子像素界定结构,所述第二子像素区用于形成具有第二颜色的第二子像素,所述第二子像素界定结构包括位于所述第二子像素区的底部一侧的亲液性部分和位于与所述第二子像素区的底部相对一侧的疏液性部分,其中,所述第二颜色不同于所述颜色,所述子像素界定结构的亲液性部分与所述第二子像素界定结构的亲液性部分具有不同的厚度。
一种超高压碳化硅晶闸管及其制备方法 本公开的一种超高压碳化硅晶闸管,包括位于同一平面内的碳化硅P+发射区和两个N型碳化硅衬底,碳化硅P+发射区位于两个N型碳化硅衬底之间,N型碳化硅衬底和碳化硅P+发射区上表面依次外延生长有碳化硅P发射区、碳化硅N+缓冲层、碳化硅N#型长基区、碳化硅P#短基区及碳化硅N+发射区,N型碳化硅衬底和碳化硅P+发射区背面覆盖有阳极欧姆电极；碳化硅N+发射区与碳化硅P#短基区形成台阶,碳化硅N+发射区上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅P#短基区两端上部镶嵌有两个碳化硅P+区,每个碳化硅P+区上覆盖有门极欧姆电极,碳化硅N+发射区和门极欧姆电极之间设置有门#阴极隔离区。能进一步加快关断速度,减少关断损耗。 1.一种超高压碳化硅晶闸管,其特征在于,包括位于同一平面内的碳化硅P+发射区(7)和两个N型碳化硅衬底(12),所述碳化硅P+发射区(7)位于两个N型碳化硅衬底(12)之间,所述N型碳化硅衬底(12)和碳化硅P+发射区(7)上表面依次外延生长有碳化硅P发射区(1)、碳化硅N+缓冲层(2)、碳化硅N#型长基区(3)、碳化硅P#短基区(4)及碳化硅N+发射区(5),所述N型碳化硅衬底(12)和碳化硅P+发射区(7)背面覆盖有阳极欧姆电极(10)；所述碳化硅N+发射区(5)与碳化硅P#短基区(4)形成台阶,所述碳化硅N+发射区(5)上覆盖有阴极欧姆电极(9)；所述碳化硅P#短基区(4)两端上部镶嵌有两个碳化硅P+区(6),每个所述碳化硅P+区(6)上覆盖有门极欧姆电极(8),所述碳化硅N+发射区(5)和门极欧姆电极(8)之间设置有门#阴极隔离区(11)。
倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法 本适用于半导体技术领域,提供了一种倾斜台面的制备方法及探测器的制备方法,倾斜台面的制备方法包括：在晶片的台面区涂覆光刻胶层,将涂覆光刻胶层后的晶片从预设温度加热至第二预设温度,对经过加热后的晶片进行刻蚀处理,制备具有预设倾斜角度的台面,去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。本能够使台面的侧壁非常平滑,从而降低器件表面的漏电流。 1.一种倾斜台面的制备方法,其特征在于,包括：在晶片的台面区涂覆光刻胶层；将涂覆光刻胶层后的晶片从预设温度加热至第二预设温度；对经过加热后的晶片进行刻蚀处理,制备具有预设倾斜角度的台面；去除制备台面后的晶片台面区的光刻胶层。
一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法 本公开了一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器,从上到下依次为：上反射层、中间层、激光器half#VCSEL区,中间层包括液晶层和间隔层,间隔层围绕圆台结构形成一圈墙面结构,液晶层位于上述墙面结构内；其中的液晶层实现了激光器内部偏振增益各向异性,可使TE/TM偏振基态对应的波长位置有效分离,进而实现宽调谐范围波长偏振稳定控制；液晶层与VCSEL半导体材料连接界面处,在液晶“形式双折射”效应的作用下,大大提高液晶层的调谐效率。本还公开了提供上述激光器的制备方法。 1.一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器,其特征在于,从上到下依次包括：上反射层、中间层、激光器half#VCSEL区,其中,上反射层从上依次包括液晶层调谐正极(1)、ITO导电薄膜(2)、玻璃基板(3)、上分布布拉格反射镜(DBR)(4)、取向膜(5)；激光器half#VCSEL区包括从上依次包括激光器注入电极层(8)、SiO2钝化层(9)、下分布布拉格反射镜(DBR)(12)、GaAs衬底(13)、激光器N型背面电极(14),其中下分布布拉格反射镜(DBR)(12)从上依次包括AlGaAs层、氧化限制层(10)、Al0.98Ga0.02As层、有源区(11)、n#Al0.1Ga0.9As与n#Al0.9Ga0.1As交替层,AlGaAs层、氧化限制层(10)、Al0.98Ga0.02As层形成圆台结构,氧化限制层(10)为圆环状,中心为注入电流限制孔；中间层包括液晶层(6)和间隔层(7),间隔层(7)围绕圆台结构形成一圈墙面结构,液晶层(6)位于上述墙面结构内；激光器注入电极层(8)、SiO2钝化层(9)中间对应电流限制孔位置设置有激光出光孔。
一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法 本公开了一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法,本将光源优化SO问题构造为在解为非负约束条件下求解2范数的图像恢复问题,即：s.t.其中约束条件线性方程组使优化后光源对应的空间像尽量接近目标成像值。另一方面,本将掩模优化MO问题构造为含稀疏正则项和低秩正则项的图像优化问题,即：其中约束条件非线性方程组使优化后的掩模和光源对应的空间像观测数据尽量接近目标图形上的观测数据,约束条件能够进一步降低优化过程中方程组的数目,约束条件能够保证优化过程中掩模的复杂度尽量降低。 1.一种采用压缩感知技术的光源掩模优化方法,其特征在于,包括：步骤101、将光源初始化为NS×NS的光源图形J,将掩模图形M和目标图形栅格化为N×N的图形,其中NS和N均为整数值；步骤102、对所述光源图形J进行逐点扫描,并将所述光源图形J转化为N2×1的光源向量所述光源向量的元素值等于所述光源图形J的对应像素值；对掩模图形M进行逐点扫描,并将M转化为N2×1的掩模向量所述掩模向量的元素值等于所述掩模图形M的对应像素值；对目标图形进行逐点扫描,并将转化为N2×1的目标向量所述目标向量的元素值等于目标图形的对应像素值；步骤103、选定两组组基函数ΨJ和ΨM,使得光源向量和掩模向量分别在ΨJ和ΨM上是稀疏的；将光源向量在ΨJ上展开得到掩模向量在ΨM上展开得到其中和分别为展开后的系数；步骤104、采用初始的掩模图形M计算照明交叉系数ICC矩阵Icc,其大小为N2×NS2；并对目标图形和ICC矩阵Icc降采样分别得到和步骤105、将光源优化SO问题构造为如下的形式：其中指的优化结果；为向量的2范数；λ为权重系数；为向量的1范数；作为约束条件；步骤106、采用梯度投影的稀疏重构算法GPSR求解步骤105中的光源优化SO问题,获得对应最优光源图形的的优化结果计算优化后的光源图形为Ψ'J是ΨJ的转置；步骤107、根据步骤106中优化的光源计算空间成像I(θM)并扫描得到所述空间成像I(θM)的空间成像向量并对和分别进行降采样得到和步骤108、将掩模优化MO问题构造为如下形式：其中是的优化结果；为向量的低秩正则项,为向量的稀疏正则项,α和β分别为和正则项的权重系数；步骤109、采用分裂布莱格曼算法Split#Bregman求解步骤108中的MO问题,获得对应最优掩模图形的向量计算优化后的掩模图形为Ψ'M为ΨM的转置。
一种基于逆辊压印制备复杂三维微结构的装置 本实用新型公开一种基于逆辊压印制备复杂三维微结构的装置。它通过在衬底上涂抹脱模剂,将带式模板一特征层内的图案转移到衬底上,当具有压印图案的衬底到达压印模板二下方后,在观测装置的观察下,通过控制压印辊二的旋转,使得次压印后的特征图案与带式模板二的特征层相对齐,启动加热装置,使得次压印后的特征图案顶部融化,并与带式模板二内的光刻胶相粘结,脱模后得到具有复杂三维微结构的图案,最终由收卷辊收集。本实用新型采用逆辊压印技术,通过二次对齐和多次图案转移,实现了复杂三维微结构低成本、高效率的批量生产。 1.一种基于逆辊压印制备复杂三维微结构的装置,其特征在于,包括放卷辊、张紧辊、支撑辊一、胶盒、衬底、压印辊一、支撑辊二、带式模板一、刮胶刀一、涂胶辊一、脱模辊一、支撑辊三、红外线热源、压印辊二、带式模板二、刮胶刀二、涂胶辊二、脱模辊二、支撑辊四、观测装置、支撑辊五、导向辊一、导向辊二和收卷辊,其中,衬底包覆于放卷辊与收卷辊之上,由支撑辊一、支撑辊二、支撑辊三、支撑辊四、支撑辊五进行支撑,由导向辊一、导向辊二进行导向,由张紧辊进行张紧,带式模板一固定于压印辊一和脱模辊一上,带式模板一上方固定有涂胶辊一,涂胶辊一前方有刮胶刀一,带式模板二固定于压印辊二和脱模辊二上,带式模板二上方固定有涂胶辊二,涂胶辊二前方有刮胶刀二,其中,压印辊二和脱模辊二的装配高度高于压印辊一和脱模辊一,其高度略小于带式模板一的特征层高度,带式模板二下方有观测装置,收卷辊、压印辊一和压印辊二均由伺服电机进行控制,收卷辊、压印辊一和压印辊二作为装置中的主动辊,脱模辊一的转动由压印辊一带动,脱模辊二的转动由压印辊二带动,放卷辊由收卷辊带动。
一种增强透射的纳米环形近场光学探针及其制备方法 本公开了一种增强透射的纳米环形近场光学探针及其制备方法,该探针由光纤纤芯、纳米环形结构、金属膜及中心增强透射孔构成,纳米环形结构分布在光纤纤芯平滑端头的二氧化硅与金属膜的界面处,能使激发光转化成等离激元,聚焦到中心增强透射孔中,并且产生纳米尺度及具备高度方向性的增强透射光。同时通过改变和优化环形结构位置与宽度、金属膜材料及厚度,中心增强透射孔尺寸大小等,皆可以实现纳米聚焦的调控和优化。本可用作扫描近场光学显微镜、原子力显微镜和针尖增强拉曼光谱仪的探针,光学探针形成的高方向性纳米尺度增强透射近场光可以用作纳米光刻和亚波长光通信的光源,并且在纳米传感、纳米成像等诸多领域具有重要的应用价值。 1.一种增强透射的纳米环形近场光学探针,其特征在于,包括：光纤纤芯、纳米环形结构、金属膜及中心增强透射孔；所述光纤纤芯的锥形针尖的顶端为所述光纤纤芯的端面,在所述光纤纤芯的端面上刻蚀有所述纳米环形结构,在所述纳米环形结构上镀有所述金属膜,所述金属膜延续所述纳米环形结构的环形拓扑结构,所述中心增强透射孔在所述纳米环形结构的中心,且贯穿所述金属膜,在所述纳米环形结构的中心刻蚀有圆柱形凹陷。
一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途 本公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途,属于电池技术领域。本提供了一种新型结构的改性集流体,该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层,所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构,尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底,通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极,可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长,避免了刺穿电池隔膜的现象,提高了锂电池的性能。本采用的微纳加工技术,工艺成熟稳定,可实现图形尺寸的精确控制,从纳米级到微米级别的图案均可制作。 1.一种改性集流体,其特征在于,所述改性集流体包括导电基底以及位于所述导电基底表面的绝缘材料层；其中,所述绝缘材料层具有凹陷结构,且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底。
一种光刻返工过程中半导体表面处理方法 本提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法,包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5)在薄膜层表面生长一层掩膜层；6)去除掩膜层；7)在薄膜层表面涂光刻胶。本通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法,以修复薄膜层的表面形貌,同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合,在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量,减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷,提高光刻胶与薄膜层附着力,防止光刻胶脱落并提高图形精度,有效提高产出和良率。 1.一种光刻返工过程中半导体表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤：1)提供一半导体结构,所述半导体结构包括薄膜层和附着在所述薄膜层上表面的待返工的光刻胶；2)采用去胶溶液清洗的方法去除待返工的光刻胶；3)采用等离子体辉光的方法清理经步骤2)处理后的半导体结构的表面；4)依次对经步骤3)处理后的半导体结构的表面进行清洗和干燥工艺；5)在经干燥工艺处理后的半导体结构的薄膜层表面生长一层掩膜层；6)利用干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法将所长的掩膜层去除；7)在经步骤6)处理后的半导体结构的薄膜层表面涂覆光刻胶。
刻蚀方法 本公开了一种刻蚀方法,包括：步骤a,在衬底上依次形成材料层、牺牲层和硬掩模层；步骤b,以光刻胶图形为掩模,刻蚀硬掩模层形成硬掩模图形；步骤c,以硬掩模图形为掩模,刻蚀部分牺牲层,剩余的牺牲层具有水平部分,以及在水平部分上的垂直部分；步骤d,分解硬掩模图形,在牺牲层的垂直部分的侧壁上形成保护层；步骤e,重复步骤c和步骤d,直至暴露材料层,留下垂直的牺牲层图形。依照本的刻蚀方法,物理轰击硬掩模层图形使其分解而附着在牺牲层侧壁上作为保护层,获得了垂直度良好的牺牲层图形,提高了刻蚀的精细度,减少了器件缺陷、提高了良率。 1.一种刻蚀方法,包括：步骤a,在衬底上形成依次堆叠的材料层、牺牲层和硬掩模层；步骤b,以光刻胶图形为掩模,刻蚀硬掩模层形成硬掩模图形；步骤c,刻蚀部分牺牲层,剩余的牺牲层具有水平部分,以及在水平部分上的垂直部分；步骤d,分解硬掩模图形,在牺牲层的垂直部分的侧壁上形成保护层；步骤e,重复步骤c和步骤d,直至暴露材料层,留下垂直的牺牲层图形。
硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法 本公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法,包括：在衬底表面形成SiGe#HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe#HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe#HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe#HBT晶体管。上述通过在第二多晶硅层上增加一层抗反射材料层,减小基区窗口底部和发射极周边台阶侧壁对多晶发射极光刻的反射,从而改善多晶发射极的形貌。同时该抗反射材料层还可以作为第三多晶硅层刻蚀时的停止层,可精确控制第二多晶硅层刻蚀,避免在后续刻蚀中损伤SiGe#HBT的外基区材料层。 1.一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法,包括：在衬底表面形成SiGe#HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe#HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe#HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe#HBT晶体管。
一种晶圆单片化方法 本提供了一种晶圆单片化方法,通过使用光刻胶填充钝化层的凹槽,能够减少晶圆减薄过程中碎屑对晶圆的污染,防止测试产生的偏差；并且能够提高晶圆的强度,减少减薄过程中应力分布的不均；在钝化层上形成的保护层具有凹槽,能够使晶圆与固定基板之间具有较强的粘合力,防止减薄过程中,晶圆从固定基板上错位或脱落；通过控制保护层上凹槽的数量和分布,来控制保护胶带在晶圆和固定基板上的粘合力不同,便于进行器件与固定基板的分离。 1.一种晶圆单片化方法,其特征在于,该方法包括：步骤1、提供半导体晶圆,所述半导体晶圆具有衬底层和器件层,所述器件层上具有钝化层,所述钝化层上设置有用于进行所述晶圆单片化切割的切割道；步骤2、在所述切割道及晶圆边缘填充光刻胶层,所述光刻胶层的厚度不小于所述凹槽的深度；步骤3、对所述光刻胶曝光、显影进行固化,清洗去除未曝光的光刻胶；在所述光刻胶层上形成一层保护层,在所述保护层上刻蚀形成凹槽；步骤4、在所述步骤3上形成凹槽的保护层上粘贴一层保护胶带；步骤5、通过所述保护胶带将所述晶圆临时粘接至固定基板；对晶圆的衬底层进行减薄,减薄至器件层；步骤6、利用进行过光刻胶填充的凹槽的切割道对晶圆进行切割；步骤7、将所述晶圆与所述固定基板分离,进行晶圆器件单片化。
半导体器件的对准方法 本提供一种半导体器件的对准方法,包括：提供衬底,所述衬底的表面形成有对准标记；在所述衬底上形成膜层,所述膜层的表面与衬底的表面共形,使得所述膜层的表面在对应所述对准标记的位置形成第二对准标记。本提供的半导体器件的对准方法通过在对准标记上形成膜层的方法,利用共形形成的第二对准标记进行对准。相对于传统的设置辅助对准层的对准方法,具有对准精度高、工艺流程较少的特点。 1.一种半导体器件的对准方法,其特征在于,包括：提供衬底,所述衬底的表面形成有对准标记；在所述衬底上形成膜层,所述膜层的表面与衬底的表面共形,使所述膜层的表面在对应所述对准标记的位置形成第二对准标记。
一种半导体器件及其制造方法 本提供一种半导体器件及其制造方法,所述制造方法包括：提供半导体衬底,所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区,所述PMOS区和NMOS区上形成有栅极结构；在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积硬掩膜层,并在所述硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层；执行刻蚀,以去除位于所述PMOS区的第二硬掩膜层；刻蚀位于PMOS区的硬掩膜层,以在PMOS区栅极结构侧壁上形成硬掩膜侧墙；以剩余的硬掩膜层及第二硬掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区暴露的半导体衬底,以形成凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。本提出半导体器件的制造方法,可以避免产生光刻胶的负载效应。 1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括：提供半导体衬底,所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区,所述PMOS区和NMOS区上形成有栅极结构；在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积硬掩膜层,并在所述硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层；执行刻蚀,以去除位于所述PMOS区的第二硬掩膜层；刻蚀位于PMOS区的硬掩膜层,以在PMOS区栅极结构侧壁上形成硬掩膜侧墙；以剩余的硬掩膜层及第二硬掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区暴露的半导体衬底,以形成凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。
一种微米LED芯片内互联的实现方法 本提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法,属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难,进而降低了对封装设备和工艺的要求,可以大幅度提高微米LED的器件性能。本既结合了微米LED大注入优良特性,同时又降低了制备难度,对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。 1.一种微米LED芯片内互联的实现方法,具体步骤包括：1)在衬底上制备出多个LED单元陈列的N型台面和各个阵列间的隔离区；2)在上述N型台面上制备大面积N型金属电极；3)形成被绝缘层隔离开的P电极区域与N电极区域；4)在N型电极区域制备出N金属焊盘,形成并联电流通道；5)沉积与LED阵列对应的图形化金属,形成LED芯片；6)将LED芯片与散热基板通过精准焊接实现LED阵列间的串联,实现微米LED芯片内的互联。
具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 本公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件,其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层,在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层,在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列,在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言,由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面,更有利于光的出射,设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜,能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构,本能更好的增强紫外LED的发光效率,同时将几种不同的工艺结合起来,控制圆台斜面倾角,简化制备过程。 1.一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件,其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层,在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层,在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列,在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。
一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法 一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法,包括：在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层,用光刻工艺图形化定义形成层图案；等离子预处理层图案光刻胶层；采用反应离子刻蚀工艺把层图案图形转移到硬掩模层；除去残留的含碳图膜层和聚合物；再次形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层,用光刻工艺图形化定义形成第二层图案；等离子体预处理第二层图案光刻胶层；采用反应离子刻蚀工艺把第二层图案转移到硬掩模膜层,在层图案和第二层图案的交叉处,最终形成图形化定义的硬掩模；除去残留的含碳图膜层和聚合物；对磁性隧道结多层膜进行刻蚀。 1.一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法,其特征在于包括：步骤：在底电极基底上,依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜层和牺牲掩模膜层；第二步骤：形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层,并用光刻工艺图形化定义形成层图案；第三步骤：等离子预处理层图案光刻胶层；第四步骤：采用反应离子刻蚀工艺把层图案图形转移到硬掩模层；第五步骤：除去残留的含碳图膜层和聚合物；第六步骤：再次形成含碳图膜层、无机抗反射层和光刻胶层,并用光刻工艺图形化定义形成第二层图案；第七步骤：等离子体预处理第二层图案光刻胶层；第八步骤：采用反应离子刻蚀工艺把第二层图案转移到硬掩模膜层,在层图案和第二层图案的交叉处,最终形成图形化定义的硬掩模；第九步骤：除去残留的含碳图膜层和聚合物；第十步骤：对磁性隧道结多层膜进行刻蚀,以完成磁性隧道结的图案化制作。