红外热发射显微镜技术参数_Optotherm IS640红外热成像显微镜-立特为智能电话：15219504346 （温先生）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应用非常广泛，去封装的芯片分析，未去封装的芯片分析，电容，FPC,甚至小尺寸的电路板分析（PCB、PCBA）,这也就让你可以在对样品的不同阶段都可以使用thermal技术进行分析，如下图示例，样品电路板漏电定位到某QFN封装器件漏电，将该器件拆下后发现漏电改善，对该器件焊引线出来，未开封定位为某引脚，开封后扎针上电再做分析，进一步确认为晶圆某引线位置漏电导致，如有需要可接着做SEM,FIB等分析。

未开封器件分析

开封器件分析

2. 它能侦测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏电，低阻抗短路，ES击伤，闩锁效应点，金属层底部短路等等，而电容的漏电和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏电，微短路等也能够精确定位

lock-in锁相分析

开封芯片漏电分析

GAN-SIC器件

3，它是无损分析：作为日常的失效分析，往往样品量稀少，这就要求失效分析技术最好是无损的，而对于某些例如陶瓷电容和FPC的缺陷，虽然电测能测出存在缺陷，但是对具体缺陷位置，市场上的无损分析如XRAY或超声波，却很难进行定位，只能通过对样品进行破坏性切片分析，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 技术，你需要的只是给样品上电，就可以对上述两种缺陷进行定位

FPC缺陷分析

电容缺陷分析

4,锁相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用锁相技术，将温度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以侦测uA级漏电流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点侦测法（0.1℃分辨率，mA级漏电流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，提供了一种快速探测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示出缺陷的位置，在半导体领域

在集成电路操作期间，内部结自加热导致接合处的热量集中。器件中的峰值温度处于接合处本身，并且热从接合部向外传导到封装中。因此，器件rm热发射显微镜系统，IS640红外显微镜，syst。红外线显微镜参数，Th！显微热成像报价，IS640热成像仪价格。IS640红外线显微镜技术参数，rm显微热成像，IS640热成像仪参数，热发射显微镜系统技术参数。IS640热成像仪技术参数，红外显微镜成像系统技术参数，红外显微镜成像系统参数，rm红外成像显微镜报价，rm红外线显微镜技术参数，IS640红外显微镜成像系统报价，红外线显微镜参数，红外热发射显微镜报价，rm红外热发射显微镜，