MOSFET是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其静态特性与开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的静态特性与开关性能具有极其重要的实际意义。

EN-AC1100型MOSFET综合测试系统，是针对MOSFET器件的静态特性、开关特性、栅极电荷、雪崩以及二极管的反向恢复特性专门设计的一套全自动测试系统，可对额定电流不超过3500A，额定电压不超过100V的专有封装外形的器件进行测试。

该测试系统具有如下特点：

该测试系统是一套集静态、雪崩、动态参数为一体的综合测试系统，对设备的分布参数，低感结构要求较高；

该测试系统涉及到多单元模块测试，其适配器的结构设计及加工工艺具有很高的技术要求；

该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行动测试；

该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

该测试系统主要由以下部分组成：

l静态参数测试单元

l开通时间测试单元

l关断时间测试单元

lFRD测试单元

lQG测试单元

l雪崩测试单元

l自动恒温气动压力夹具（配专用适配器）

lPLC控制系统

l计算机控制系

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IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。

半导体参数测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。