概述
FP6276是电流模式同步升压型，/ PSM控制。它的PWM电路，内置55mΩ高侧和55mΩ低侧开关使该具备高节能。内部补偿网络也最大限度地减少多达6个外部元件数量。误差放大器的非反相输入端连接到一个0.6V精度参考电压和内部软启动功能可降低浪涌电流。
特点
电流模式PWM与/ PSM控制
输入电压范围：2.4V~4.5V
关断电流：<1uA的
振荡器频率：500KHz的
参考电压：0.6V+/-2%
停机期间负载断开
逐周期电流限制
低RDS（ON）：低端55mΩ，高side55mΩ。
保护：OTP,输出过压，短路
内部补偿
内部软启动：7毫秒
封装：SOP8（EP）
应用充电器、手持设备、便携式产品、移动电源
典型应用电路
功能框图
引脚说明
布局指南1.大电流路径VIN到L1到LX，VO到VOUT走线要粗，铺铜走线最佳。
2.电感L1到IC的LX铺铜走线面积尽量小，降低切换时产生的突波电压。
3.输出电容C3 / C4要靠近IC的PGND，减少VO-C3 / C4-PGND的电流回路面积，可有效抑制
EMI辐射。（注一）
4.输入电容尽量靠近VIN PIN与GND PIN。
5. R4要靠近LX，C5要靠近PGND，R4与C5之间一定要靠近。
6.尽可能增大PGND（GND）面积，增大IC散热面积； PCB的顶部与底部层剩余的空间全部
铺GND，上下层多打VIA连接，吸收高频杂讯。
7. FB PIN讯号敏感，要避开LX切换点，避免受到干扰。
8.分纸板组R1 / R2走线要短，尽量靠近FB PIN。
9. L2 / C6 / C7尽量靠近USB端口，避免调整完毕的电压受到其他杂讯影响而产生电磁辐射。
注一，IC在升压时输出电容（C3 / C4）会一直有充放电的动作，在VO – C3 / C4 – PGND会产生一
一个电流回路，这地方会产生快速的磁通量变化，而磁通量∝电流回路面积，在PCB板上
的磁通量变化会产生与磁通量呈正比的突波电压，因此可以减少电流回路面积，降低在
PCB板产生的磁通量，可有效抑制EMI辐射。
