AF-GDB-B-12.7F 过电压保护器接线图
AF-GDB-B-12.7F 过电压保护器生产厂家：湖南湘湖电器有限公司：400-6733-731
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安凯客车安凯客车副总经理熊良平表示，插电式客车能弥补纯电动客车续驶里程短、充电难的不足，只要能用传统客车的价格去购买插电式客车，这类市场将迎来爆发式增长。目前安凯拿到合肥市300辆新能源客车订单，其中纯电动200辆，插电式50辆，增程式50辆，在天津等地也推广了一些车型。安凯目前尚未制定详细推广计划，但没有整车制造企业的城市将是重要突破点。恒通电动客车恒通客车近年来一直致力于打造快充插电式混合动力。
湘湖电器有限公司生产：AF-GDB-B-12.7F 过电压保护器接线图CCB1LE-63C2P25A
根据使用目的和电气设备所在的场所来选择
1）直接接触触电的防护因直接接触触电的危害比较大，引起的后果严重，所以要选用灵敏度较高的漏电断路器，对电动工具、移动式电气设备和临时线路，应在回路中安装动作电流为30mA，动作时间在0.1s之内的漏电断路器。对家用电器较多的居民住宅，安装在进户电能表后。如果一旦触电容易引起二次伤害（比如高空作业），应在回路中安装动作电流为15mA，动作时间在US之内的漏电断路器。对于中的电气设备，应安装动作电流为6mA，动作时间在US之内的漏电断路器。
2）间接接触触电防护不同场所的间接接触触电，能对人身造成不同程度的伤害，所以，不同场所应安装不同的漏电断路器。对容易触电的危害性较大的场所，要求用灵敏度比较高的漏电断路器。在潮湿场所比在干燥场所触电的危险性要大得多，一般应安装动作电流为15-30mA，动作时间在0.1s之内的漏电断路器。对于水中的电器设备，应安装动作．电流为6- l0mA，动作时间在US之内的漏电断路器。对于操作人员必须站在金属物体上或金属容器内的电气设备，只要电压高于24V,就应安装动作电流为15mA以下，动作时间在US之内的漏电断路器。对电压为220V或380V的固定电气设备，当外壳接地电阻在500fZ以下时，单机可安装动作电流为30mA，动作时间在0.19之内的漏电断路器。对额定电流在100A以上的大型电气设备或带有多台用电设备的供电回路，可安装动作电流为50--100mA的漏电断路器，对用电设备的接地电阻在1000以下时，可安装动作电流为200-500mA的漏电断路器。
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根据电路和设备的正常泄漏电流来选择
1）单机配用的漏电断路器．动作电流应大于设备正常运行时泄漏电流的4倍。
2)用于分支线路的漏电断路器，动作电流应大于线路正常运行时泄漏电流的2.5倍，同时也要大于线路中泄漏电流的电气设备的泄漏电流的4倍。
3)主干线或总保护的漏电断路器，其动作电流应大于电网正常运行时泄漏电流的2.5倍。如果不容易测量线路或电气设备的泄漏电流，可按照下面的经验公式进行估算：照明回路或居民生活用电回路：漏电断路器的动作电流IDZ>ISJ/2000；动力与照明混合回路：漏电断路器的动作电流IDZ>ISJ/1000.公式中IDZ为漏电断路器动作电流，ISJ为电路中的电流。
1)单相220V电源供电的电气设备应选用二极二线式或单极二线式漏电断路器。
2)三相三线制380V电源供电的电气设备，应选用三极四线式或四极四线式漏电断路器。
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注意事项编辑安装
1.安装前应检查漏电断路器铭牌上的数据与使用要求是否一致。
2.安装时不要太靠近大电流线和交流接触器。
3.漏电断路器动作电流大于15mA时，其所保护的设备外壳要可靠接地。
4.应充分考虑供电线路的供电方式、电压以及系统的接地形式。
5.安装具有短路保护的漏电断路器，必须保证有足够的飞弧距离。
6.组合式漏电断路器外部连接的控制回路，应使用铜导线，截面积不小于1.5m㎡。
7.安装漏电断路器后，不能拆除原来低压线路或设备原来的接地保护措施，同时断路器负载侧中性线，不得与其回路公用，以免误动作。
8.安装时必须严格区分中性线和保护接地线。三极四线式和四极式漏电断路器的中性线应接在断路器中，经过断路器的中性线不能再作为保护接地线使用，也不能重复接地或接电气设备外壳。而保护地线不得接人漏电断路器内。
9.漏电断路器的保护范围应为独立回路，不能与其回路有电气上的连接。漏电断路器不能并联使用保护同一线路或电气设备。
10.安装结束后，应操作试验按钮，检查漏电断路器是否能可靠动作。
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虽然金融危机以及海外的反倾销行为，造成了紧固件出口增速的大幅下降，但们也必须认识到，正是们紧固件产业产品结构不合理才会造成目前这一形势，转型和升级是紧固企业必然要面临的选择。虽然产品升级后，成本会增加，但是产品价格的提升完全可以抵消成本的上涨。据了解，特种行业的紧固件产品比较有优势，比如用在、工、铁道等行业的紧固件，这些产品的特殊性决定了它们价格的优越性，因此内紧固件企业可以着力开发此类市场。
然而业者竞相提高DRAM产量，也让市场供给过剩趋势明显。日前业界消息传出，三星电子位于华城17产线已正式稼动，投入生产20纳米DRAM。目前该产线每月平均产量为3万~4万片晶圆，约占三星DRAM总产量的10%，2016年之前还计划持续扩产。原本三星计划在该厂区生产移动应用处理器（AP）等系统半导体，据了解策略已经修正。因为大陆及台湾IC设计业者在AP市场势力扩大，三星眼见收益性可能难保，转而将重心放在更具竞争优势的DRAM事业。
