恒泰柯半导体(Hunteck): 成立于2014年,公司主要高层及技术人员均来自于AOS、Vishay半导体,中压MOS管在国内产品属领先品牌之一,行业领先的SGT技术,技术优势,具体体现在
A,米勒电容SGT 工艺明显比沟槽工艺低很多, 所以开关损耗低
B, SGT 比沟槽工艺挖掘深度3-5倍, SGT可以横向使用更多的硅外延体积来阻止电压,使得SGT的内阻比普通MOSFET低2倍
C, 由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度,因此可以使用更多硅体积来吸收UIS(EAS)能量。 所以SGT可以在雪崩中做同样或更好。
D,同等规格下,芯片面积可以做到更小,性价比更高