西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流最大1800A 12V IEC 客户自定义 高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度最高150℃； 电压最高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度最高150℃； 电压最高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度最高150℃ 电压最高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度最低-80℃ 电压最高2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高150℃； 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最低-80℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度最高180℃ 湿度范围：10%~98% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 稳态功率试验（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高加速应力试验（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温蒸煮试验（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
