GJH100进口激光甲烷传感器本发明的环境温度检测器用于独立检测环境温度，这为本发明的甲烷检测提供了与加热元件测温元件距离最近最真实的温度数据，有利于温度补偿特性的提高同时也为甲烷传感器智能化提供了良好基础,而给单片高温加热器通电后则使加热元件加热至°以上的高温，使加热元件工作在的电流-电阻特性曲线中转折点左侧的工作区域，所述转折点为电阻随电流或电压增大而出现的电阻最大点，当电流或电压继续增大时，电阻不再继续增大反而减小;加热元件的功耗在左右。GJH100进口激光甲烷传感器所述转折点为电阻随电流或电压增大而出现的电阻最大点，当电流或电压继续增大时，电阻不在继续增大反而减小,所述固定端设在型硅衬底上，包括型硅型硅上的氧化硅层及用作电引出焊盘的金属，所述电引出焊盘金属 设在型硅之上的氧化硅层上，且电引出焊盘金属 通过氧化硅层的窗口与其下面的型硅直接接触构成欧姆接触，电引出焊盘金属 与其下的型硅层接触部分没有氧化硅层。
甲烷传感器产品介绍
甲烷传感器满足了我国煤矿监测井下甲烷浓度的需要。它可以连续自动地将井下甲烷浓度转换成标准电信号输送给配接设备，并具有就地显示沼气浓度值，超限声光报警等功能。传感器经国家防爆检验机关进行联机检验后, 可与国内各类型监测系统及断电仪、风电瓦斯闭锁装置配套，适宜在煤矿采掘工作面、机电硐室，回风巷道等地点固定使用。但不与硅框架支座的其它顶层硅相连通,本发明的双向数据通信单元是等元件构成的双向通信接口电路
甲烷传感器主要特点
1．采用单片微机和高集成数字化电路，使电路结构简单，性能可靠，便于维修与调试。
2．实现了红外遥控调校零点、标校点、报警点等功能,使调校方便简单。同理，其它传感器的超限信息，亦可通过中心站以数字通信的方式转发至本传感器,参照图图和图，在上述实施例技术方案的基础上，优选的是:所述的甲烷传感器催化元件解毒装置还包括进风孔出风孔’和风扇;所述进风孔设置于所述箱体的侧面靠近箱体顶部的位置，所述出风孔’设置于箱体的侧面靠近箱体底部的位置，所述风扇设置在所述出风孔’，位于箱体的内部
3．增加了传感器断电控制功能,并可任意设定断电点,实现了一机多用。
4．采用新型开关电源,降低了整机功耗,增加了仪器传输距离。
5．增加了故障自检功能,便于使用与维护。
6．设计了新的高强度外壳结构,增强了仪器抗冲击能力。
甲烷传感器适用条件
1、适用条件
环境温度：0℃～40℃
相对湿度：≤98%RH
大气压力：80kPa～116kPa
风速：0m/s～8m/s
适用于含有瓦斯或煤尘爆炸危险的煤矿井下。将上述制备好的硅片置于四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液中对型硅采用结自停止方法在硅片的正面与背面同时进行硅湿法刻蚀,同时，在本发明的硅加热元件的外表面设置的钝化层也降低了外界环境对上述元器件的影响，从而进一步提高了本发明的甲烷传感器性能的稳定性,组成的电源电路为本传感器的其它单元提供电源
甲烷传感器性能指标
测量范围：0.00%CH4～4.00%CH4
基本误差 % CH4
0～1.00% ±0.10
1.00～3.00 真值的±10％
3.00～4.00 ±0.30
分辨率： 0.01%CH4
显示方式：4位LED 显示，并能表示显示值的正或负。
响应时间：传感器的响应时间（T90）应≤20s
报警点：可调，传感器出厂时设定在1.00%CH4，报警误差：±0.05%CH4。
报警方式：声、光，其中：
a) 声级强度：≥80dB(A)；
b) 光可见度：20m处清晰可见。
工作方式：扩散式
断电功能：
a) 断电点：可调，传感器出厂时设定在1.50%CH4
b) 复电点：可调，传感器出厂时设定在1.00%CH4
防爆型式：矿用本质安全兼隔爆型
防爆标志：Exdib I Mb
输出信号：
a) 频 率：200~1000Hz；5~15Hz；5~155Hz；（电流脉冲输出或光电隔离输出）
b) 断电输出：5VDC/20mA的直流信号，或光电隔离输出。
外形尺寸：270 × 155 × 55mm
重量：≤1.3kg；
外壳材质：不锈钢。
掩蔽版置于硅片正面之上并对准后，通过溅射沉积等方法制备金属，仅在加热元件测量元件的固定端环境温度测量元件的电极引出端之上形成电引出焊盘金属(,为具有隔离功能的电源模块，为通信芯片提供电源
GJH100进口激光甲烷传感器而红外甲烷传感器价格高传感元件受粉尘与水汽严重影响,本发明的双向数据通信单元是等元件构成的双向通信接口电路,目前用于煤矿井下检测低浓度甲烷的仍是基于传统铂丝加热的催化燃烧式甲烷传感器，其功耗较大，尤其是催化剂的使用导致甲烷检测性能不稳定校验时间短等缺点;而红外甲烷传感器价格高传感元件受粉尘与水汽严重影响。GJH100进口激光甲烷传感器硅加热元件的硅加热器的投影位于通孔中心位置，且外形尺寸远小于通孔的尺寸,所述单个的硅悬臂的一端与硅加热器相连，另一端与硅框架支座上的固定端相连，两个硅悬臂将硅加热器悬于空气中,采用反应离子刻蚀方法干法刻蚀露出的背面刻蚀窗口图形内的氧化硅层及其下面的型硅，刻蚀深度至，形成湿法刻蚀所需的背面刻蚀窗口。
