因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。

IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的。

公司经销的产品有： 巴斯曼(Bussmann),西门子(Siemens)，法国罗兰(FERRAZ),英飞凌（infineon）,欧派克（EUPEC）,西门康（SEMIKRON）,三菱(MITSUBISHI)，富士(FUJI), 东芝(TOSHIBA),艾赛斯（IXYS）, 西班牙 （CATELEC）三社等公司生产的IGBT，IPM，PIM，GTR，可控硅，快恢复二级管,整流桥,熔断器,保险丝；进口快速熔断器 ，各种进口品牌驱动电路；公司成立多年以来一直抱着诚信，互惠的原则，热忱为广大新老客户提供优质的产品和快捷的供货服务。在同行业中我们以品种全、现货库存量大，质量优、信用好而享誉国际市场。公司秉承“保证质量，保持信誉”的经营理念，坚持“客户至上”的原则为广大客户提供优质的服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。
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