当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。

当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制，此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

公司经销的产品有： 巴斯曼(Bussmann),西门子(Siemens)，法国罗兰(FERRAZ),英飞凌（infineon）,欧派克（EUPEC）,西门康（SEMIKRON）,三菱(MITSUBISHI)，富士(FUJI), 东芝(TOSHIBA),艾赛斯（IXYS）, 西班牙 （CATELEC）三社等公司生产的IGBT，IPM，PIM，GTR，可控硅，快恢复二级管,整流桥,熔断器,保险丝；进口快速熔断器 ，各种进口品牌驱动电路；公司成立多年以来一直抱着诚信，互惠的原则，热忱为广大新老客户提供优质的产品和快捷的供货服务。在同行业中我们以品种全、现货库存量大，质量优、信用好而享誉国际市场。公司秉承“保证质量，保持信誉”的经营理念，坚持“客户至上”的原则为广大客户提供优质的服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。

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