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晶振的目标

总频差：我们先来了解什么是频差，所谓的频差是频率误差的简写，是由规则的作业参数和非作业参数在规则的时刻内，导致晶振的频率出现误差。任何晶振的频率没有绝对性，例如我们常见的，，等，它们由温度安稳度，频率老化率，频率电压特性和频率负载特性等形成误差，终究影响频率的误差，称之为总频差。

频率老化率：在恒定的环境条件下测量振动器频率时，振动器频率和时刻之间的联系。这种长时刻频率漂移是由晶体元件和振动器电路元件的缓慢改变形成的，因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规则时限后的最大改变率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规则的时限内最大的总频率改变（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表明。

决定晶体老化的要素有：

①污染物和残留气体的分子会沉积在晶片上，或使晶振电极氧化。晶振振动频率越高，所用的晶片就越薄，这种影响就越凶猛。这种影响要经过一段较长的时刻才干逐渐安稳，而且这种安稳随着温度或作业状况的改变会有反复——使污染物在晶体表面再度会集或涣散

②晶振因为外因（受力、湿度、温度场改变等）而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并试图使物体从变形后的方位恢复到变形前的方位应力要经过一段时刻的改变才干安稳，称之为应力。一种叫“应力补偿”的晶体切开办法（SC切开法）使晶体有较好的特性。 

③结构工艺缺点等。

因此，频率低的晶振比频率高的晶振、作业时刻长的晶振比作业时刻短的晶振、接连作业的晶振比断续作业的晶振的老化率要好。

频率温度安稳度：在标称电源和负载下，作业在规则温度规模内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。

ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin) 
ftref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜，｜(fmin-fref)/fref｜] 
ft：频率温度安稳度(不带隐含基准温度) 
ftref：频率温度安稳度(带隐含基准温度) 
fmax ：规则温度规模内测得的最高频率 
fmin：规则温度规模内测得的最低频率 
fref：规则基准温度测得的频率

阐明：选用ftref目标的晶体振动器其生产难度要高于选用ft目标的晶体振动器,故ftref目标的晶体振动器价格较高。

开机特性（频率安稳预热时刻）：指开机后一段时刻(如5分钟)的频率到开机后另一段时刻(如1小时)的频率的改变率。表明了晶振到达安稳的速度。这目标对经常开关的仪器如频率计等很有用。

阐明：在大都应用中，晶体振动器是长时刻加电的，然而在某些应用中晶体振动器需要频繁的开机和关机，这时频率安稳预热时刻目标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要
求频率温度安稳度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，选用OCXO作为本振，频率安稳预热时刻将不少于5分钟，而选用MCXO只需要十几秒钟)。

频率压控规模：将频率控制电压从基准电压调到规则的终点电压，晶体振动器频率的最小峰值改变量。

阐明：基准电压为＋2.5V，规则终点电压为＋0.5V和＋4.5V，压控晶体振动器在＋0.5V频率控制电压时频率改变量为-2ppm，在＋4.5V频率
控制电压时频率改变量为＋2.1ppm，则VCXO电压控制频率压控规模表明为：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率为正，线性为+2.4%。

压控频率响应规模：当调制频率改变时，峰值频偏与调制频率之间的联系。通常用规则的调制频率比规则的调制基准频率低若干dB表明。

阐明：VCXO频率压控规模频率响应为0～10kHz。

频率压控线性：与理想（直线）函数比较的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表明整个规模频偏的可容许非线性度。

阐明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。简单的VCXO频率压控线性计算办法为(当频率压控极性为正极性时)：

频率压控线性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100% 
fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率 
fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率 
f0：压控中心电压频率

单边带相位噪声￡(f)：违背载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。

输出波形：从大类来说，输出波形能够分为方波和正弦波两类。

方波首要用于数字通信系统时钟上，对方波首要有输出电平、占空比、上升/下降时刻、驱动能力等几个目标要求。