FF150R12RT4 IGBT模块Infineon Technologies
1.功能说明
扩展的工作温度Tvj op
低开关损耗
低VCEsat
Tvj op = 150°C
具有正温度系数的VCEsat
绝缘基板
标准外壳
2.优势
灵活性
优化的电气性能
高可靠性
3.灵活性强,电气性能最佳,可靠性最高。这些是成功的逆变器布局的关键词。我们著名的34和62 mm模块是您设计的正确选择。我们展示了采用最先进的IGBT4芯片技术的半桥和单开关产品系列,电压为650 V / 1200 V / 1700 V.62毫米的产品线在650 V时提供的电流范围为300 A至400 A ,
例如:› 62 mm模块,半桥配置,最高400 A / 650 V(E4芯片)。34和62 mm产品线在1200 V时提供从50 A至900 A的完整电流范围,即:› 34半桥和斩波器配置中的mm模块,最高150 A / 1200 V(T4芯片)› 62毫米,半桥配置中的模块,最高600 A / 1200 V(T4 / E4芯片)› 62 mm单开关,最高900 A / 1200 V(E4 / P4芯片)› 62毫米公共发射极提供高达600 A / 1200 V的3级解决方案62毫米产品线提供1700V时电流范围从150 A至600 A,
例如:› 62半桥配置中的mm模块,最高500 A / 1700 V(E4芯片)› 62 mm单开关,最高600 A / 1700 V(E4芯片)

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