掺杂是把杂质引入半导体材料的晶体结构中,哈默纳科单晶硅谐波传动CSF-11-50-2A-R以改变半导体材料电学性能的一种方法。在芯片制造中常用两种方法向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。热扩散利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构,这种方法受到时间和温度的影响。离子注入通过高压离子轰击把杂质引入硅片。哈默纳科单晶硅谐波传动CSF-11-50-2A-R杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞,才能被注入。
扩散分为三种,即气态、液态和固态。在半导体制造中,哈默纳科单晶硅谐波传动CSF-11-50-2A-R利用高温扩散驱动杂质穿过硅晶格。硅中固态杂质的扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。