原装***GD25Q128ESIG 兆易贴片SOP8 FLASH存储器芯片 GD闪存 代烧录

特征：GD25Q128ESIG
◆ 128M 位串行闪存 ◆ 快速编程/擦除速度
- 16M 字节 - 页编程时间：0.5ms（典型值）
- 每个可编程页面 256 字节 - 扇区擦除时间：典型值为 45 毫秒
- 块擦除时间：0.15s/0.25s 典型
◆ 标准、双、四 SPI - 芯片擦除时间：典型值 50s
- 标准 SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#、RESET#
- 双 SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#、RESET# ◆ 灵活的架构
- Quad SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET# - 4K 字节的统一扇区
- 32/64K 字节的统一块
◆ 高速时钟频率
- 133MHz 30PF 负载下快速读取 ◆ 低功耗
- 双 I/O 数据传输速度高达 266Mbits/s - 14μA 典型待机电流
- 四路 I/O 数据传输速度高达 532Mbits/s - 1μA 典型深度断电电流
◆ 软件/硬件写保护 ◆ 高级安全功能
- 通过软件写保护全部/部分内存 - 每个设备的 128 位 ID
- 使用 WP# 引脚启用/禁用保护 - 串行闪存可发现参数 (SFDP) 寄存器
- 顶部/底部块保护 - 具有 OTP 锁的 3x1024 字节安全寄存器
◆ ***性和数据保留 ◆ 单电源电压
- ***少 100,000 次编程/擦除周期 - 全电压范围：2.7-3.6V
- 典型的 20 年数据保留期
◆ 包装信息
◆ 允许 XiP（就地执行）操作 - SOP8 2.08 亿
- 高速读取减少了整体 XiP 指令提取时间 - SOP16 300mil
- 带 Wrap 的连续读取进一步将数据延迟降低至 - USON8（4x4mm，0.45mm 厚度）
填满 SoC 缓存 - WSON8 (6x5mm)
- WSON8 (8x6mm)
- TFBGA-24ball (6x4 Ball Array)
- TFBGA-24ball (5x5 Ball Array)

制造商: GigaDevice
产品种类: NOR闪存
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
系列: GD25Q128ESIG
存储容量: 128 Mbit
电源电压-***小: 2.7 V
电源电压-: 3.6 V
有源读取电流（值）: 25 mA
接口类型: SPI
时钟频率: 133 MHz
组织: 16 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
***小工作温度: - 40 C
工作温度: + 85 C
商标: GigaDevice
电源电流—值: 25 mA
产品类型: NOR Flash
子类别: Memory & Data Storage