产品描述
LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片,可用于同步、升和半桥拓扑中。
LN8322内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态,用以提高转换效率。集成使能关断功能,可以同时关断DRVH、DRVL的输出。
LN8322内建死区自适应功能,可以适应更多规格MOSFET,同时简化设计的繁琐。
LN8322采用SOP-8/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8等封装形式,给方案设计带来更多的选择。
产品特性
l 电源电压工作范围为4.5V~13.2V
l 内置自举二极管
l 兼容3.3V和5.5V PWM输入
l UVLO时EN端输出低电平
l 内建死区自适应功能来防止FET交叉导通
l EN端可同时关断上下两个MOSFET
l VCC欠压锁死功能
l 采用SOP-8/ESOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8和MSOP8封装
l 绿色环保无卤,满足ROHS标准
应用领域
l 半桥/全桥转换器
l 同步、升拓扑
l 线充MOSFET驱动器


