描述：MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On：9 欧姆 @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 25V
功率 ：83W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63​

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