产品描述

ULN2003ADR/AIP2003L 是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含七个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流。将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动（LED） 、步进电机驱动和逻辑缓冲器。

ULN2003ADR/AIP2003的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

其主要特点如下：

● 500mA集电极输出电流（单路）

● 耐高压50V

● 输入兼容TTL/CMOS逻辑信号

● 广泛应用于继电器驱动；

● 封装形式： DIP16/SOP16

基础参数

开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic): 2.6V@2V,350mA

集电极电流(Ic): 500mA

集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic): 1.75V@350mA

输出漏电流(Icex@Vce): 50uA@50V

关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic): 65uA@50V,500uA

嵌位二极管漏电流(IR@VR): 50uA@50V

嵌位二极管正向压降(VF@IF): 2V@350mA

输入电容(Ci): 15pF

工作温度: -40℃~+85℃

其主要特点如下：
● 300mA集电极输出电流（单路）
● 耐高压40V
● 输入兼容TTL/CMOS逻辑信号
● 广泛应用于继电器驱动；
● 封装形式： DIP16/SOP16

开态输入电压: 2.6V@2V,300mA

集电极电流: 300mA

集射极饱和压降: 1.7V@300mA

输出漏电流: 50uA@50V

关态输入电流: 65uA@50V,500uA

嵌位二极管漏电流: 50uA@40V

嵌位二极管正向压降: 2V@300mA

输入电容(Ci): 15pF

工作温度: -40℃~+85℃

尺寸MAX

功能框图

内部原理图

逻辑图

引脚排列图及功能