无极镇AFR180-L1-014-S2-P2免维护伺服减速器

EAMON/伊明牌AB220精密行星減速機適用軸徑:
單段適合軸徑：≤55mm；
雙段適合軸徑：≤42mm；
AB220精密行星減速機減速比:
單段速比：3, 4, 5, 7, 10；
雙段速比：15, 20, 25, 30，35, 40, 50, 70, 100；
AB220精密行星減速機背隙：
單段：≤3arcmin / ≤5arcmin（P1/P2)；
雙段：≤5arcmin / ≤7arcmin（P1/P2)；
AB220精密行星減速機輸出額定力矩：
T2N：1500 Nm -2000 Nm；
AB220精密行星減速機轉動慣量：
J1：23.29-54.37 Kg·cm^2
AB220精密行星減速機效率：
單段：≤ 97%；
雙段：≤ 94%；



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从技术方面来看，随着变频器市场的进一步扩大，今后变频器技术将会随着与变频器有关的技术的发展在下面几个方面进一步得到发展：（1） 大容量和小体积化；（2） 高性能和多功能化；（3） 易操作性的提高；（4） 寿命和可靠性增加；（5） 无公害化。大容量化和小体积化将会随着电力半导体器件的发展而不断的到发展。近年来，采用电压驱动的电力半导体器件IG（Isolated Gate Bipolar Transistor,隔离门极双极晶体管）发展很快，并在迅速进入传统上使用BJT（双极功率晶体管）和功率MOSFET（场效应管）的各种领域。此外，以IG为开关器件的IPM（Intelligent Power Module,智能功率模块）和单片功率IC 芯片将功率开关器件与驱动电路，保护电路等集成在同一封装内，具有高性能和可靠性好的优点，所以随着它们在大电流化和高耐压化方面的发展，必将在中小型变频器中得到更加广泛的应用。随着微电子技术和半导体技术的发展，用于变频器的CPU和半导体器件以及各种传感器的性能越来越高。而随着变频器技术的发展，交流调速理论日益成熟，现代控制理论也在不断得到新的应用。这些都为进一步提高变频器的性能提供了条件。


无极镇AFR180-L1-014-S2-P2免维护伺服减速器

VRB-115C-3-K5-19DE19
VRB-115C-4-K5-19DE19
VRB-115C-5-K5-19DE19
VRB-115C-6-K5-19DE19
VRB-115C-7-K5-19DE19
VRB-115C-8-K5-19DE19
VRB-115C-9-K5-19DE19
VRB-115C-10-K5-19DE19
VRB-115C-15-K5-19DE19
VRB-115C-16-K5-19DE19
VRB-115C-20-K5-19DE19
VRB-115C-25-K5-19DE19
VRB-115C-28-K5-19DE19
VRB-115C-30-K5-19DE19
VRB-115C-35-K5-19DE19
VRB-115C-40-K5-19DE19
VRB-115C-45-K5-19DE19
VRB-115C-50-K5-19DE19
VRB-115C-60-K5-19DE19
VRB-115C-70-K5-19DE19
VRB-115C-80-K5-19DE19
VRB-115C-90-K5-19DE19
VRB-115C-100-K5-19DE19


VRB-115C-3-K5-19DB19
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VRB-115C-100-K5-19DB19




为了使水槽变得干净，很多人都习惯于用钢丝球来刷。水槽暂时是干净了，可这样一来，水槽其实脏得更快了。因为容易挂垢的水槽，钢的质量本来就不怎么样，再用钢丝球一划就更容易挂脏东西了。下水管防漏，配件精密度及水槽精度一致，用PVC材料，与水槽同寿命，防堵塞，无渗水滴漏。钢珠是水槽排污的关键。钢珠质量好，可以快速排除污水，防止异味上返。而下水管是水槽防异味上返的另一个关键。将下水管设计成S形可以减轻下水道返味。
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