运河警示浮标单个航道航标

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表个二进制比（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是个可避的要件。由于这种需要定时刷新的性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
与SRAM相比，DRAM的势在于结构简单——每个比的数据都只需个电容跟个晶体管来理，相比之下在SRAM上个比通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较的缺点。

以浸在液体中的物体为例，由于液体会产生压强，而且压强随深度增加而变，且液体内部向各个方向都有压强，因此物体下底面受到的液体向上的压力较，上底面受到的液体向下的压力较小，物体上、下底面的压力差即表现为竖直向上的浮力。侧面所受到的压力相互抵消