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，C2——采用一般的空气介质、容量范围为16～360微微法的单连可变电容器。在这里不用双连，因为要求调谐电路同步不易调整。Д1，Д2，T1——晶体二极管采用国产Д1B型的。选用正向电阻500欧左右、反向电阻100千欧以上的较好。测试时将万用表量程放在（R×100）或（R×1K）档测量。晶体三极管T1采用国产П6型或2G100型的。C1，C3，C5——CC3采用纸质电容器，耐压400伏。C5采用耐压3伏、10微法超小型电解电容器。

MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。

过载保护过载保护原理可简单表述如下：假设电路允许的通过电流为Imin，电流为Imax，保护的器件电流为I，I2表示在规定时间范围内，保护器件有效工作的电流，那么我们可得出公式Imax≤I≤Imin1）I2≤1.45Imin2）值得注意的是，多种因素都会对电生一定的影响，如温度、多芯电缆、机床设备的安装密度等，因此要想机床设备正常工作，必须要确保通过保护器件的电流大于电流，并在大于电流时执行保护。